Produkte > 2N5
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| 2N5087 | MICROSS/On Semiconductor | Description: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 | On Semiconductor | TO-92, PNP, Vceo=50V; Ic=50mА, NF=2.0dB, hFE=800, -65...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 Produktcode: 144832
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| 2N5087 | CDIL | TO-92, PNP, Vceo=50V; Ic=50mА, NF=2.0dB, hFE=800, -65...+150 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 5045 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS | auf Bestellung 6921 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 3293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5087 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 3293 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5087 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | 2N5087 TRA PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W | auf Bestellung 3112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5087 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise | auf Bestellung 9200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5087BU | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 250 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 40 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087BU | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087RLRA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 16000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087RLRAG Produktcode: 18859
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Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: TO-92 Grenzfrequenz fT, MHz: 40 MHz Spannung Uce, V: 50 V Spannung Ucb, V: 50 V Strom Ic, A: 0,05 A Stromverstärkung h21, max: 250 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087RLRAG | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087RLRAG | ON | 09+ | auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087TA | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087TAR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087TF | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087TFR | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087_J18Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087_J61Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5087_S00Z | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 | FAIRCHILD | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| 2N5088 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5088 Produktcode: 161421
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 50 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 35 В Kollektorstrom Ic, A: 0,05 А Montage: THT | auf Bestellung: 93 St.
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| 2N5088 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APP PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 22880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5088 PBFREE Produktcode: 214558
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| 2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | auf Bestellung 3517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 300...900 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5088 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N5088 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRA PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2N5088 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,50mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088BU | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088BU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088G | On Semiconductor | TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 115800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088G (NPN-Bipolartransistor) Produktcode: 29368
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Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 50 MHz Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 30 V Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 35 V Kollektorstrom Ic, A: 0,05 A Stromverstärkung h21: 900 Montage: THT | verfügbar: 120 St.
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| 2N5088RLRA | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| 2N5088RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.05A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TA | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TA | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 3531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2673 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TAR | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | auf Bestellung 6289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088_D11Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088_D11Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088_D74Z | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088_D81Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5088_J61Z | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5089 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5089 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5089 | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.05A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| 2N5089 | FSC | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |