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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA844C
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2SA844CTZ
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2SA844DRenesas/Hitachi00+
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2SA845NECCAN
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2SA845ANECCAN
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2SA848NECCAN
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2SA849NECCAN
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2SA85
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2SA854
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2SA854STPQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SPT
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SA854STPRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 32V 0.5A SPT
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SA855NECCAN
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2SA856NEC
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2SA856A
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2SA86
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2SA87
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2SA876NECCAN
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2SA876H
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2SA877TOS03+ TO-3
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2SA878TOS03+ TO-3
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2SA88
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2SA881
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2SA882
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2SA883
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2SA885
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2SA886
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2SA89
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2SA892
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2SA893HITACHITO-92
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2SA894
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2SA895
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2SA898PAN00+ TO126
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2SA899PAN00+ TO126
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2SA90
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2SA900
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2SA907
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2SA908
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2SA909
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2SA909
Produktcode: 147275
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA91
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2SA911NECCAN
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2SA913APAN00+ TO220
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2SA915
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2SA916
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2SA916-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA916-T-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
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2SA92
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2SA921
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2SA922NECCAN
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2SA9221
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2SA9222
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2SA923NECCAN
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2SA9231
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2SA9232
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2SA928A
Produktcode: 31506
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UTCTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 120 MHz
Spannung Uce, V: 30 V
Spannung Ucb, V: 30 V
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 1 St.
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10+0.26 EUR
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2SA928A TO-92mode
Produktcode: 207680
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ChinaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 120 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 30 В
Strom Ic, A: 2 A
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 167 St.
  • 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.27 EUR
10+0.25 EUR
100+0.21 EUR
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2SA929
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2SA93
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2SA930
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2SA931NECCAN
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2SA932NECCAN
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2SA933
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2SA933
Produktcode: 152658
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SanyoTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 140 МГц
Spannung Uce, V: 40 В
Spannung Ucb, V: 50 В
Strom Ic, A: 0,1 А
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1+0.18 EUR
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2SA933ASROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SA933AS-Q-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92S
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SA933AS-Q-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-Q-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-Q-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-R-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92S
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SA933AS-R-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-R-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-S-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-S-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92S
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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2SA933AS-S-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933AS-S-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92S
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92S
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
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2SA933AS-S-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA933ASTPROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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2SA933ASTPQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA933ASTPQRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SPT
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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2SA933ASTPRonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA933ASTPRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SPT
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA933ASTPRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
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2SA933ASTPSRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SPT
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SPT
Frequency - Transition: 140MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA933ASTPSROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.15A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA933ASTPSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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2SA933SROHMTO92
auf Bestellung 3950 Stücke:
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2SA935
Produktcode: 152659
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TransysTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92L
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 80 В
Spannung Ucb, V: 80 В
Strom Ic, A: 0,7 А
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA938
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA94
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA940
Produktcode: 172861
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SavanticTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220C
Grenzfrequenz fT, MHz: 4 МГц
Spannung Uce, V: 150 В
Spannung Ucb, V: 150 В
Strom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21, max: 140
auf Bestellung: 34 St.
  • 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.64 EUR
10+0.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA940
Produktcode: 32658
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220F
Grenzfrequenz fT, MHz: 4 MHz
Spannung Uce, V: 150 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 140
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.79 EUR
10+0.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA940-CHFAIRCHILD2004 TO-220
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA949-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
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2SA949-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SA949-Y
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2SA949-Y(C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SA949-Y(C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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