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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SA949-Y(JVC1,F,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(JVC1,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6JVC1,FMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6JVC1,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6ONK1,FMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6ONK1,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6SHRP,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(T6SHRP,FMToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(TE6,F,M)ToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,F(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,ONK-1F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,ONK-1F(JToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,ONK-1F(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 150V 0.05A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 800 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA949-Y,ONK-1F(MToshibaToshiba
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950
Produktcode: 152660
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SecosTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 120 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 35 В
Strom Ic, A: 0,8 А
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 21 St.
  • 21 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.18 EUR
10+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-OToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-O(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-O-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-O-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-O-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-O-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-YTOSHIBATO92
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y(T)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y(TE2,F,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y(TPE2)ToshibaBipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10),
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y(TPE2,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-AP---TRANS PNP 30V 0.8A TO92 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 30V 0.8A TO-92
Power - Max: 600 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA950-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952
Produktcode: 152661
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NECTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 МГц
Spannung Uce, V: 25 В
Spannung Ucb, V: 30 В
Strom Ic, A: 0,7 А
auf Bestellung: 19 St.
  • 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.24 EUR
10+0.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-ARenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 1385247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
791+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-ARenesasTrans GP BJT PNP 25V 0.7A 600mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 1384247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1191+0.56 EUR
10000+0.49 EUR
100000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-T-ARenesasDescription: TRANS PNP 25V 0.7A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
791+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-T-ARenesasBipolar Power Transistor
auf Bestellung 510000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
100000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA952-T-ARenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
auf Bestellung 957500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
791+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA953
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA953-ARenesasTrans GP BJT PNP 60V 0.3A 600mW 3-Pin TO-92
auf Bestellung 10842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1087+0.61 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1087 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA953-ARenesas Electronics CorporationDescription: TRANS PNP 60V 0.3A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 10858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
791+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954-ANEC CorporationDescription: TRANS PNP 80V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
auf Bestellung 59704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
791+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 791 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954-ANEC Corporation2SA954-A
auf Bestellung 32976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954-ANEC Corporation2SA954-A
auf Bestellung 26669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1521+0.43 EUR
10000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA954-T-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA957
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA958
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA959
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA96
auf Bestellung 3540 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA963TOS00+ TO126
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965ToshibaPNP, 120V, 0.8A, 120MHz, TO-92 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O(TE6,F,M)ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O,F(JToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SA965-O,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y
Produktcode: 102180
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2SA965-YTOS
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2SA965-YToshibaPNP, 120V, 0.8A, TO-92 Транзистори
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2SA965-Y(F,M)ToshibaToshiba
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2SA965-Y(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y(T6CANO,FMToshibaToshiba
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2SA965-Y(T6CANO,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT X35A Pb FREE POWER TRANSISTOR; LSTM; MOQ=3000; PC=900MW; F=100KHZ
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2SA965-Y(TE6,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92
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2SA965-Y,F(JToshibaToshiba
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2SA965-Y,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y,SWFF(MToshibaToshiba
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2SA965-Y,SWFF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y,T6F(JToshibaToshiba
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2SA965-Y,T6F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y,T6KOJPF(JToshibaToshiba
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2SA965-Y,T6KOJPF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 900 mW
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2SA965-Y-APMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA965-Y-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 120V 0.8A TO-92MOD
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92MOD
Frequency - Transition: 120MHz
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2SA965-Y-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA965-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
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2SA966
Produktcode: 152662
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ToshibaTransistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92MOD
Grenzfrequenz fT, MHz: 120 МГц
Spannung Uce, V: 30 В
Spannung Ucb, V: 30 В
Strom Ic, A: 1,5 А
Stromverstärkung h21, max: 320
auf Bestellung: 6 St.
  • 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.18 EUR
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2SA966-O(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SA966-OTPE6CToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
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2SA966-Y(TPE6,C)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
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2SA966-Y,F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
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2SA968ToshibaТранзистори
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2SA968
Produktcode: 45484
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 MHz
Spannung Uce, V: 160 V
Spannung Ucb, V: 160 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 240
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.43 EUR
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2SA968KECTO-220
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA968EVVODescription: SILICON PNP POWER TRANSISTOR,TO-
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2SA968B
Produktcode: 147276
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2SA97
auf Bestellung 3668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SA970LGEPNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
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2SA970EVVODescription: SILICON PNP TRANSISTOR IN A TO-9
Packaging: Bag
auf Bestellung 824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
26+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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