Produkte > BC8
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3864000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1083000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1590000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4440000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 885000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTQ-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 27000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Frequency - Transition: 100MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 41481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | On Semiconductor | TRANS NPN LP 100MA 45V SC75 SOT-416 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 22718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN | auf Bestellung 51964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 48735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SC-75-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 13858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847BTT1G TBC847bt Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2/0.3W Case: SC75; SOT416 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 5932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 804000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 48735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 13858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 468 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BJT NPN 45V 100MA GPT | auf Bestellung 8611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 60 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-323, 45V 100mA, General Purpose Amplification Transistor | auf Bestellung 6099 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 45V 0.1A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC847BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV | NXP | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive BC847BV,115 BC847BV,315 BC847BVN,115 BC847BV TBC847bv Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BC847BV | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | auf Bestellung 4814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT666 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Pulsed collector current: 0.2A | auf Bestellung 8019 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | auf Bestellung 4814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847BV/SOT666/SOT6 | auf Bestellung 19781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 11700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 | auf Bestellung 18604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC847BV/SOT666/SOT6 | auf Bestellung 80463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV,315 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 | auf Bestellung 328000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | auf Bestellung 90415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563 | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V 150mW | auf Bestellung 4903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 100mA 40V | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC847BV-TP - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: To Be Advised | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BV115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC847BV - SMALL SIG Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847BVC-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 3703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BVC-7 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVC-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVC-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BVC-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC847BVC-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVCQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVCQ-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVCQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BVN | PHI | auf Bestellung 116000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BC847BVN T/R | PHI | SOT-666 | auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BC847BVN,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVN,115 | NXP | NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666 Транзистори | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BVN,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA | auf Bestellung 3546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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