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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SMMBD7000LT3GonsemiDescription: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
auf Bestellung 12179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
113+0.19 EUR
182+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.074 EUR
2000+0.064 EUR
5000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1onsemiDescription: MIXER DIODE, UH FREQUENCY
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 200 mW
auf Bestellung 161750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2959 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD701LT1 - SMMBD701LT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 2335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
15000+0.24 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 5049 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.68 EUR
100+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD701LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 104915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
28+0.76 EUR
31+0.69 EUR
100+0.51 EUR
250+0.46 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5182+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 5182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 70V TR
auf Bestellung 7167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
20+0.18 EUR
100+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.061 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 92000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6135+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 120 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD770T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 70 V, 200 mA, Einfach, SOT-323, 3 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 70V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5715+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 5715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5236+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 5236 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Schottky - Single
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Current - Max: 200 mA
Power Dissipation (Max): 120 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
278+0.075 EUR
321+0.065 EUR
385+0.055 EUR
427+0.049 EUR
500+0.046 EUR
1000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD770T1GON SemiconductorDiode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6135+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 7824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
218+0.096 EUR
251+0.083 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1G
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 47439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
35+0.096 EUR
100+0.077 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.046 EUR
3000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3Nexperia USA Inc.Description: RECTIFIDIOD0.2100TO-236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.035 EUR
20000+0.026 EUR
30000+0.025 EUR
50000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL
auf Bestellung 16374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+0.18 EUR
35+0.096 EUR
100+0.083 EUR
500+0.061 EUR
1000+0.046 EUR
5000+0.036 EUR
10000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBD914LT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
auf Bestellung 109384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
197+0.11 EUR
274+0.076 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.049 EUR
2000+0.045 EUR
5000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4391LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30201 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
826+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 826 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4391LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
Power - Max: 225 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
26+0.83 EUR
100+0.61 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiDescription: JFET N-CH 30V SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -30V
On-state resistance: 100Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 50mA
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
133+0.64 EUR
208+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
6000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBF4393LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET NCH 30V TR
auf Bestellung 5743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.02 EUR
100+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23
Drain-source voltage: -25V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 125Ω
Drain current: -60mA
Type of transistor: P-JFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
59+0.36 EUR
67+0.31 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET PCH 30
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.87 EUR
100+0.57 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ175LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 125 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1onsemiDescription: JFET P-CH SOT23
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.58 EUR
431+0.4 EUR
456+0.37 EUR
554+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 305 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 1285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.68 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
59+0.36 EUR
67+0.31 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GonsemiDescription: JFET P-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Power - Max: 225 mW
Resistance - RDS(On): 300 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GON SemiconductorTrans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V
auf Bestellung 4485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ177LT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23
On-state resistance: 300Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-JFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -20mA
Power dissipation: 0.225W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
59+0.36 EUR
67+0.32 EUR
100+0.27 EUR
250+0.25 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 30mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiJFETs SS SOT23 JFET NCH 25V TR
auf Bestellung 32475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
11+0.32 EUR
100+0.25 EUR
500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ309LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
68+0.31 EUR
77+0.27 EUR
100+0.24 EUR
250+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1G
Produktcode: 149315
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
13+0.27 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 17930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT1GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3onsemiDescription: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiDescription: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current Rating (Amps): 60mA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 12dB
Technology: JFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Rated: 25 V
Voltage - Test: 10 V
Current - Test: 10 mA
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate current: 10mA
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBFJ310LT3GonsemiJFETs SS JFET XSTR SPCL
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.12 EUR
100+0.45 EUR
500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBJ36AGS/Gener
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1
auf Bestellung 51772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.057 EUR
6000+0.055 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
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SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SMMBT2222ALT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 36714 Stücke:
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9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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SMMBT2222ALT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3068+0.057 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3068 Stücke
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SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16177 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3059+0.057 EUR
9000+0.054 EUR
27000+0.05 EUR
51000+0.048 EUR
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SMMBT2222ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3116+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3116 Stücke
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SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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SMMBT2222ALT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 18817 Stücke:
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10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.075 EUR
5000+0.065 EUR
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 16265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
2000+0.075 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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SMMBT2222ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SMMBT2222ALT3GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMMBT2222ALT3GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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SMMBT2222ALT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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