Produkte > SMM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| SMMBD7000LT3G | onsemi | Description: DIODE ARR GP 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V | auf Bestellung 12179 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD701LT1 | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SMMBD701LT1 | onsemi | Description: MIXER DIODE, UH FREQUENCY Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 70V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power Dissipation (Max): 200 mW | auf Bestellung 161750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD701LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBD701LT1 - SMMBD701LT1, ZENER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD701LT1G | ON Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SS SWCH DIO SPCL | auf Bestellung 2335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD701LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 Power Dissipation (Max): 200 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Peak Reverse (Max): 70V Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Diode Type: Schottky - Single Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 102000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD701LT1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SWCH DIO SPCL | auf Bestellung 5049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD701LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3 Power Dissipation (Max): 200 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Peak Reverse (Max): 70V Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Diode Type: Schottky - Single Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 104915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 70V TR | auf Bestellung 7167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Schottky - Single Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 70V Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Current - Max: 200 mA Power Dissipation (Max): 120 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBD770T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, 70 V, 200 mA, Einfach, SOT-323, 3 Pin(s), 1 V tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 70V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Schottky - Single Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 70V Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Current - Max: 200 mA Power Dissipation (Max): 120 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V | auf Bestellung 5980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD770T1G | ON Semiconductor | Diode RF Schottky 70V 120mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBD914LT1 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SMMBD914LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD914LT1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V | auf Bestellung 7824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD914LT1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD914LT1G | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SMMBD914LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBD914LT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 500 mA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 7484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD914LT1G | onsemi | Small Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL | auf Bestellung 47439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD914LT3 | Nexperia USA Inc. | Description: RECTIFIDIOD0.2100TO-236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBD914LT3G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD914LT3G | onsemi | Small Signal Switching Diodes SS SWCH DIO SPCL | auf Bestellung 16374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBD914LT3G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 100V 200MA SOT233 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Average Rectified (Io): 200mA Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | auf Bestellung 109384 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBF4391LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 30201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBF4391LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 4 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBF4393LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms Power - Max: 225 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 26578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBF4393LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBF4393LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 30V SOT23-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 15V (VGS) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 225 mW Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Resistance - RDS(On): 100 Ohms | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBF4393LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 30V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 50mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -30V On-state resistance: 100Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 50mA | auf Bestellung 2909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBF4393LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBF4393LT1G | onsemi | JFETs SS SOT23 JFET NCH 30V TR | auf Bestellung 5743 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ175LT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -60mA; 225mW; SOT23 Drain-source voltage: -25V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Kind of channel: enhancement On-state resistance: 125Ω Drain current: -60mA Type of transistor: P-JFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ175LT1G | onsemi | Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ175LT1G | onsemi | JFETs SS SOT23 JFET PCH 30 | auf Bestellung 702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ175LT1G | onsemi | Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 125 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 mA @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1 | onsemi | Description: JFET P-CH SOT23 Part Status: Active Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1G | onsemi | JFETs SS SOT23 JFET XSTR SPCL | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | onsemi | Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V | auf Bestellung 4485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1G | onsemi | Description: JFET P-CH 30V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Power - Max: 225 mW Resistance - RDS(On): 300 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 10 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5 mA @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ON Semiconductor | Trans JFET P-CH 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBFJ177LT1G - JFET-Transistor, 30 V, 20 mA, 2.5 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 30V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 2.5V | auf Bestellung 4485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-JFET; unipolar; -25V; -20mA; 225mW; SOT23 On-state resistance: 300Ω Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-JFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -20mA Power dissipation: 0.225W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ309LT1G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 26676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ309LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 30mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 30mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ309LT1G | onsemi | JFETs SS SOT23 JFET NCH 25V TR | auf Bestellung 32475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ309LT1G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 25V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ310LT1 | onsemi | Description: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 10109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ310LT1G Produktcode: 149315
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| SMMBFJ310LT1G | onsemi | JFETs SS JFET XSTR SPCL | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBFJ310LT1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 17930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBFJ310LT1G - HF-FET-Transistor, 25 V, 225 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 10109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT3 | onsemi | Description: RF N-CHANNEL, JUNCTION FET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT3G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT3G | onsemi | Description: RF MOSFET JFET 10V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 60mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Gain: 12dB Technology: JFET Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 10 V Current - Test: 10 mA Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT3G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 225mW; SOT23; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: -25V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBFJ310LT3G | onsemi | JFETs SS JFET XSTR SPCL | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| SMMBJ36A | GS/Gener | auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1 | auf Bestellung 51772 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ONN | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 34271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2096800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 16277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR | auf Bestellung 36714 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - SMMBT2222ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 16177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR | auf Bestellung 18817 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT3G | On Semiconductor | TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| SMMBT2222ALT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SMMBT2222ALT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
