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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
BUHTI09+
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BUH100Rochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
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BUH100ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 700V 10A TO-220AB
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BUH100onsemiBipolar Transistors - BJT 10A 700V 100W NPN
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BUH100GonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 700V 100W NPN
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BUH100GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 10A TO220
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413+1.93 EUR
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BUH100GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUH100GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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167+0.94 EUR
295+ 0.51 EUR
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500+ 0.32 EUR
1000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BUH100GonsemiDescription: TRANS NPN 400V 10A TO220
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BUH100GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUH1015
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BUH1015HIonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BUH1015HISTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
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BUH1015HI (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 2638		STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: ISOWATT218
Uceo,V: 800
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 14
h21: 14
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BUH1215
Produktcode: 79956		STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-218
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 16
h21: 10
ZCODE: THT
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BUH1215ST09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
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BUH150
auf Bestellung 3284 Stücke:
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BUH150onsemiDescription: TRANS NPN 700V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 23MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 150 W
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BUH150onsemiBipolar Transistors - BJT 15A 400V 150W NPN
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BUH150G
Produktcode: 117705		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BUH150GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3748 Stücke:
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167+0.94 EUR
296+ 0.51 EUR
422+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 167
BUH150GonsemiDescription: TRANS NPN 700V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 23MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 700 V
Power - Max: 150 W
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BUH150GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUH150GonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 400V 150W NPN
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BUH150G
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BUH150GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUH2M20APSTTO-220
auf Bestellung 30800 Stücke:
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BUH313
auf Bestellung 23858 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUH315STTO-218
auf Bestellung 540 Stücke:
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BUH315DSTMicroelectronicsSTMicroelectronics HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, IGBT & Power Bipolar
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BUH315DFHSTMicroelectronicsSTMicroelectronics HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, IGBT & Power Bipolar
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BUH315DP1STTO-220FP
auf Bestellung 500 Stücke:
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BUH50onsemiDescription: TRANS NPN 500V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 50 W
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BUH50GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 500V 4A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BUH50GonsemiDescription: TRANS NPN 500V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 3574 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
513+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 513
BUH50GonsemiDescription: TRANS NPN 500V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 50 W
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BUH50GON Semiconductor
auf Bestellung 1623 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUH51
auf Bestellung 1003 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUH51ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 500V 3A TO-225
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BUH51 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 25348		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BUH515STMicroelectronicsSTMicroelectronics HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR, IGBT & Power Bipolar
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BUH515ST09+ SOP
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUH515ST
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BUH515D
Produktcode: 79973		STTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: ISOWATT-218
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1500
Ic,A: 8
h21: 10
Bem.: Ізольований корпус
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BUH517 Transistor
Produktcode: 72408		SavantICTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3PML
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 1700
Ic,A: 8
Bem.: 60W
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BUH517DSTMicroelectronicsSTMicroelectronics IGBT & Power Bipolar
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BUH51GonsemiDescription: TRANS NPN 500V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 23MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 1142 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1142+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1142
BUH51GonsemiDescription: TRANS NPN 500V 3A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 23MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 50 W
Produkt ist nicht verfügbar
BUHR-E503D-L2 Світлодіод овальний d=5 мм, супер-червоний, J=400 mcd, кут огляду 110 гр
Produkt ist nicht verfügbar
BUHR-R513C-L3 Світлодіод d=5 мм, супер-червоний, J=4000 mcd, кут огляду 30 гр.
Produkt ist nicht verfügbar
BUHR-RA13C-L3 Світлодіод d=10 мм, супер-червоний, J=4000.0 mcd кут огляду 28 гр.
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