Produkte > DI4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| DI4 | DBX | Description: DBX - DI4 - DI-Box DI4 aktiv 4 Kanäle mit Line-Mischer tariffCode: 85184000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR Netzsteckertyp: UK hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4008A | DI | auf Bestellung 6775 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DI402SIA | IXYS | 09+ SOP8 | auf Bestellung 3079 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI409SI | IXYS | 09+ | auf Bestellung 351 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4A5C06SQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DI4A5C06SQ-DIO Multi channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.5nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P | auf Bestellung 3938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | SMD MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8 Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.7A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.5nC Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DI4A7P06SQ2 | Diotec Semiconductor | Description: MOSFET SO8 P -60V -4.7A 0.075OHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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