Produkte > G4S

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
G4S01S01012.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 12"Lng EndA SMA EndB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
G4S01S01024.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 24"Lng EndA SMA EndB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
G4S01S01036.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 36"Lng EndA SMA EndB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
G4S01S01048.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 48"Lng EndA SMA EndB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
G4S01S01060.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 60"Lng EndA SMA EndB SMA
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508ATGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508ATGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508CTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508CTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508CTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508DTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508DTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508JTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508QTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06508QTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510JTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510QTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06510QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515HTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515QTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06515QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06520BTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06520BTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06520BTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06540PTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06540PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S06540PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12020BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12020BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12020DGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12020DGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12020DGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12040BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S12040BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
G4S6508ZGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
G4S6508ZGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
Produkt ist nicht verfügbar
G4SATB100K
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G4SATB102M
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
G4STRAPBOpto 22Terminal Block Tools & Accessories G4 16-Position Strap for Single Rack, Red (10-Pack)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+246.14 EUR
25+ 224.3 EUR
50+ 222.46 EUR
100+ 219.52 EUR
250+ 218.06 EUR
500+ 216.94 EUR
1000+ 215.44 EUR
G4STRAPBOpto 22Conn Jumper M 10 POS ST
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+205.08 EUR
2+ 196.06 EUR
3+ 187.2 EUR
5+ 154.56 EUR
10+ 139.53 EUR
G4SWINOpto 22Specialist Controllers G4 Digital Input Switch, 5, 15, 24 VDC Logic
Produkt ist nicht verfügbar