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G4S06508QT Global Power Technology

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Hersteller: Global Power Technology
Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
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Technische Details G4S06508QT Global Power Technology

Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode.

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G4S06508QT G4S06508QT Hersteller : Global Power Technology-GPT 085609mo.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
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G4S06508QT G4S06508QT Hersteller : Global Power Technology-GPT 085609mo.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
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