Produkte > GD9
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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GD9-15-NF | Laird | Antennas Grid,Wire,240-30in,N F | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9-15-NF | Laird Technologies IAS | Description: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30" | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9-18 | Laird | Antennas Grid,Wire,300-18in,N F | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) | |||||||||||||||
GD9-18 | Laird Technologies IAS | Description: ANT GRID 18DBI 900MHZ 10" N FEM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9-DC15-NF | Laird Technologies IAS | Description: RF ANT 900MHZ GRID CAB BRKT 30" | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD900 | Interlight | Description: Replacement for Lg GD900 Replace Packaging: Retail Package Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD900 CRYSTAL | Interlight | Description: Replacement for Lg GD900 Crystal Packaging: Retail Package Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD900 Теплопроводящая паста 1г (шприц) Produktcode: 168552 | Chemie > Wärmeleitende Materialien | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
GD900; Теплопроводящая паста; 1г (шприц); Теплопроводность: 4.8W; -50…+240°С; Thermal Grease | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
GD900HFY120P1S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD900HFY120P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.522 kA, 1.7 V, 5.24 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 5.24 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.522 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD900HFY120P1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Technology: Advanced Trench FS IGBT Collector current: 900A Case: P1.0 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Anzahl je Verpackung: 9 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD900HFY120P1S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Technology: Advanced Trench FS IGBT Collector current: 900A Case: P1.0 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 30 ns Memory Organization: 128M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2AMGI | GIGADEVICE | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 45ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NAND Flash Memory: 1Gb FLASH Memory organisation: 128Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 1.7...1.95V Anzahl je Verpackung: 288 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2AMGI | GIGADEVICE | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 45ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NAND Flash Memory: 1Gb FLASH Memory organisation: 128Mx8bit Access time: 45ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 1.7...1.95V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: IC FLASH 1GBIT 48TSOP I Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Part Status: Active Memory Organization: 128M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F2DMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS1G8F3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G6F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: ONFI Access Time: 20 ns Memory Organization: 256M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS2G8F3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2ALGJ | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2ALGJ | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: ONFI Access Time: 22 ns Memory Organization: 512M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F3AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: ONFI Access Time: 22 ns Memory Organization: 512M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS4G8F4DMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS8G8E2AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: ONFI Access Time: 22 ns Memory Organization: 1G x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS8G8E2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS8G8E3AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 48-TSOP I Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: ONFI Access Time: 22 ns Memory Organization: 1G x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS8G8E3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FS8G8E4DMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /FBGA-63 /Industrial(-40? to +85?) /Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 128M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash 1Gbit OnFI NAND Flash /3.3v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray | auf Bestellung 642 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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GD9FU1G8F2AMGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: SLC NAND FLASH | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2AMGI | GIGADEVICE | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 25ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NAND Flash Memory: 1Gb FLASH Memory organisation: 128Mx8bit Access time: 25ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Anzahl je Verpackung: 288 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2AMGI | GIGADEVICE | Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; 128Mx8bit; 25ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NAND Flash Memory: 1Gb FLASH Memory organisation: 128Mx8bit Access time: 25ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F2DMGI | GigaDevice | NAND Flash | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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GD9FU1G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU1G8F3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G6F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G6F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G6F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 18 ns Memory Organization: 128M x 16 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: ONFI Access Time: 18 ns Memory Organization: 256M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-FBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 18 ns Memory Organization: 256M x 8 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU2G8F3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F2ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F2ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F3ALGI | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | Description: LINEAR IC Packaging: Tray | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F3ALGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F3AMG2 | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F3AMGJ | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU4G8F4DMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU8G8E2AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU8G8E3AMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
GD9FU8G8E4DMGI | GigaDevice | NAND Flash | Produkt ist nicht verfügbar |