Produkte > H5N
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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| H5N2007FN-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N2007LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH HS SW TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2007LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: 25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M Part Status: Active Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj) Packaging: Bulk | auf Bestellung 23000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N2008P | HITACHI | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| H5N2008P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2008P-E | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| H5N2305P-E | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PFM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V | auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N2307LSTL-E | RENESAS | SOT263/2.5 | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2307LSTL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: 30A, 230V, 0.052OHM, N CHANNEL M Part Status: Active Packaging: Bulk | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N2307LSTL-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2512FN-E | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 2637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2519P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2522LSTL-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2803PF-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 280V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2901FL-M0-E#T2 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC MOSFET N-CH TO-220FL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N2901FN-E-A9 | auf Bestellung 6573 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| H5N2901LSTL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N3003P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N3007FL-M0-E#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 300V 15A TO220FL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FL Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V | auf Bestellung 1908 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N3007LSTL-E | SOT-252 | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| H5N3008P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N3011P | HITACHI | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| H5N3011P (H5N3011P-E) Produktcode: 105101
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| Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| H5N3011P-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N3011P80-E#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 4770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N3011P80-E#T2 | Renesas | H5N3011P80-E#T2 | auf Bestellung 4770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| H5N3301LSTL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N5001FM | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| H5N5011PL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N5012P-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 280V 30A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| H5N5016PL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| H5N6001 | HIT | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| H5N6001P | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| H5N6001P-E | Renesas Electronics Corporation | Description: NCH POWER MOSFET 600V 20A 380MOH Packaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 175 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |