Produkte > IMT
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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IMT-BT Office Docking | ADLINK Technology | Modules Accessories Office Docking No adapter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT rubber jacket box | ADLINK Technology | Modules Accessories IMT-BT Rubber housing with mounting screws | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT Vehicle Docking | ADLINK Technology | Modules Accessories Vehicle Docking 9V-36V converter with Cigar adapter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN10 | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 10/WIFI/BlueTooth | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN10-LTE | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN10-M | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 10 /Wifi/BT + Medical | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN81 | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows 8.1 /Wifi/BT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN81-LTE | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 Windows 8.1 /Wifi/BT + 3G/LTE (USA) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT-BT-WIN81-M | ADLINK Technology | Embedded Box Computers IMT-BT 10.1" Tablet with Intel Celeron N2807 and Windows Embedded 8.1/WIFI/BlueTooth/Medical Certification | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT.448P | Banner Engineering | Fibre Optic Sensors Glass Fiber; Opposed Mode; Bundle Dia.: 0.027 in.; PVC w/Monocoil Sheath 96 in long; #8-32 Threaded End Tip; Terminated for Glass Fiber Sensors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT.752S-HT | Banner Engineering | Fibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 0.61 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT.756.6S-HT | Banner Engineering | Fibre Optic Sensors Glass Fiber Opposed Mode 2 m long; 1.27 mm dia. Bundle; Stainless Steel Sheath; M4 & M2.5 Thread; Terminated for use in Plastic Fiber Sensors; Max. Operating Temperature 315C at Threaded Tip | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT00060 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT00062 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02 | PHILIPS | 03+ | auf Bestellung 408 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02060 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02061 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02062 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02063 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02067 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT02069 | Red Lion Controls | Description: TEMP METER LED PANEL MOUNT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1 | ROHM | 04+ SOT-23-6 | auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT12PM.38HT | Banner Engineering | Fibre Optic Sensors FIBER IMT12PM.38HT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17 | ROHM | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17 | ROHM | SOT-163 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo | auf Bestellung 5245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 50V 0.5A SOT26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17-7 | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 300mW 6-Pin SOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17T110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17T110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT17T208 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.5A 6SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT18T110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT18T110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT18T110 | ROHM SEMICONDUCTOR | IMT18T110 PNP SMD transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1A | ROHM | SOT163 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1A | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1A T110 | ROHM | SOT23-6 | auf Bestellung 5309 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 50V; 0.15A; 300mW; SC74,SOT457 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT1AT110 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 50V; 0.15A; 300mW; SC74,SOT457 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.3W Case: SC74; SOT457 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1AT110 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT1AT110 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 300mW 6-Pin SMT T/R | auf Bestellung 2698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT1AT110 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 | auf Bestellung 21787 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT1AT110 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 Part Status: Active | auf Bestellung 5215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT1AT110 | ROHM | Description: ROHM - IMT1AT110 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 140MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT1T109SOT163-T1 | ROHM | auf Bestellung 2979 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT2 | ROHM | 09+ | auf Bestellung 2629 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT2/T2 | ROHM | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT200-24-5 | BTC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT200-300-15 | BTC | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT200-48-12 | MODULE | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT210-300-2.1 | BTC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT2A | ROHM | 09+ | auf Bestellung 1928 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT2AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | auf Bestellung 2802 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT2AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA SOT-457 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT2AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT2T108 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IMT2T109 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IMT34076 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 87mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 87mm Dimension Z: 39mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT34076 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 87mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 87mm Dimension Z: 39mm | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT34077 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 75mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 65mm Dimension Z: 45mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT34077 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 65mm; Y: 75mm; Z: 45mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 75mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 65mm Dimension Z: 45mm | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT34127 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 87mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 87mm Dimension Z: 39mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT34127 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 87mm; Y: 87mm; Z: 39mm; wall mount; IP65 Type of enclosure: junction box IP rating: IP65 Mounting: wall mount Body colour: white Manufacturer series: Mureva U56 Cover colour: white Dimension Y: 87mm Operating temperature: -25...60°C Dimension X: 87mm Dimension Z: 39mm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT35000 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP20 Type of enclosure: junction box Dimension Y: 142mm Dimension X: 71mm Dimension Z: 40mm Number of sockets: 2 Mounting: plaster embedded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35000 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; X: 71mm; Y: 142mm; Z: 40mm; IP20; Sockets: 2 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP20 Type of enclosure: junction box Dimension Y: 142mm Dimension X: 71mm Dimension Z: 40mm Number of sockets: 2 Mounting: plaster embedded | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT35021 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35021 Junction boxes | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35023 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP40 Diameter: 71mm Type of enclosure: junction box Dimension Z: 49mm Kit contents: cover Enclosures application: ceiling Number of sockets: 1 Version: with lighting plug Manufacturer series: Multifix Air Mounting: plaster embedded | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT35023 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 49mm; plaster embedded; IP40 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP40 Diameter: 71mm Type of enclosure: junction box Dimension Z: 49mm Kit contents: cover Enclosures application: ceiling Number of sockets: 1 Version: with lighting plug Manufacturer series: Multifix Air Mounting: plaster embedded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35026 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP40 Diameter: 71mm Type of enclosure: junction box Dimension Z: 40mm Kit contents: cover Number of sockets: 1 Version: with lighting plug Manufacturer series: Multifix Air Mounting: plaster embedded Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35026 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Junction boxes Description: Enclosure: junction box; Ø: 71mm; Z: 40mm; plaster embedded; IP40 Enclosure material: polypropylene PP; TPE IP rating: IP40 Diameter: 71mm Type of enclosure: junction box Dimension Z: 40mm Kit contents: cover Number of sockets: 1 Version: with lighting plug Manufacturer series: Multifix Air Mounting: plaster embedded | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT35027 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35027 Junction boxes | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35031 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35031 Junction boxes | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35032 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35032 Junction boxes | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35033 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35033 Junction boxes | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35034 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35034 Junction boxes | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35036 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35036 Conduits accessories | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35037 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Conduits accessories Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm Diameter: 20mm Type of cable accessories: conduit end cover Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes Manufacturer series: Multifix Air | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT35037 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Conduits accessories Description: Conduit end cover; Multifix Air; 20mm Diameter: 20mm Type of cable accessories: conduit end cover Cable accessories application: for braids; protective tube; protective tubes Manufacturer series: Multifix Air Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35038 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35038 Conduits accessories | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT35043 | SCHNEIDER ELECTRIC | IMT35043 Measuring Tools | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36154 | Schneider Electric | Description: SEAL GLAND JPEM25 Packaging: Bulk Accessory Type: Gasket, Seal | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36157 | Schneider Electric | Description: MULTICABLE GASKET JM24M16 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Mureva BOX Accessory Type: Multi Cable Disc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36158 | Schneider Electric | Description: MULTICABLE GASKET JM34M20 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Mureva BOX Accessory Type: Multi Cable Disc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36159 | Schneider Electric | Description: MULTICABLE GASKET JM45M25 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Mureva BOX Accessory Type: Multi Cable Disc | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36164 | Schneider Electric | Description: PLUG GLAND TPEM25 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Mureva BOX Accessory Type: Plug | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36179 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12 Panel cutout diameter: 13mm Body colour: grey Size: M12 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 3...5mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36179 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 13mm; EPDM; grey; Size: M12 Panel cutout diameter: 13mm Body colour: grey Size: M12 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 3...5mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36179 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM12 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Thorsman TET Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36180 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM16 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Thorsman TET Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36180 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16 Panel cutout diameter: 17mm Body colour: grey Size: M16 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 5...7mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36180 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 17mm; EPDM; grey; Size: M16 Panel cutout diameter: 17mm Body colour: grey Size: M16 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 5...7mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36181 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20 Panel cutout diameter: 21mm Body colour: grey Size: M20 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 7...10mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36181 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 21mm; EPDM; grey; Size: M20 Panel cutout diameter: 21mm Body colour: grey Size: M20 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 7...10mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36181 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM20 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Thorsman TET Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36182 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25 Panel cutout diameter: 24mm Body colour: grey Size: M25 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 10...14mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36182 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM25 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Thorsman TET Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36182 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 24mm; EPDM; grey; Size: M25 Panel cutout diameter: 24mm Body colour: grey Size: M25 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 10...14mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36183 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM32 Packaging: Bulk Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36183 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32 Panel cutout diameter: 30mm Body colour: grey Size: M32 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 14...20mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36183 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 30mm; EPDM; grey; Size: M32 Panel cutout diameter: 30mm Body colour: grey Size: M32 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 14...20mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36184 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40 Panel cutout diameter: 38mm Body colour: grey Size: M40 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 20...26mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT36184 | Schneider Electric | Description: MEMBRANA GLAND ECIBM40 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Thorsman TET Accessory Type: Grommet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT36184 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 38mm; EPDM; grey; Size: M40 Panel cutout diameter: 38mm Body colour: grey Size: M40 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 20...26mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36185 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50 Panel cutout diameter: 48mm Body colour: grey Size: M50 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 26...35mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT36185 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 48mm; EPDM; grey; Size: M50 Panel cutout diameter: 48mm Body colour: grey Size: M50 Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 26...35mm Grommet version: with bulkhead Body material: EPDM Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT37303 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; EPDM; grey; 7÷10mm; Type: membrane Type of cable accessories: grommet Body material: EPDM Body colour: grey Cable external diameter: 7...10mm Cable gland version: membrane | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT37303 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; EPDM; grey; 7÷10mm; Type: membrane Type of cable accessories: grommet Body material: EPDM Body colour: grey Cable external diameter: 7...10mm Cable gland version: membrane Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT37311 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 29mm; EPDM; grey Body material: EPDM Body colour: grey Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 14...20mm Grommet version: with bulkhead Panel cutout diameter: 29mm Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT37311 | SCHNEIDER ELECTRIC | Category: Grommets Description: Grommet; with bulkhead; Ømount.hole: 29mm; EPDM; grey Body material: EPDM Body colour: grey Type of cable accessories: grommet Cable external diameter: 14...20mm Grommet version: with bulkhead Panel cutout diameter: 29mm | auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT3AT108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 50V 150MA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT3AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT3AT108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A 6SMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | auf Bestellung 1169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT3T108 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IMT4 | ROHM | SOT163 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT4 T108 | ROHM | SOT173 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT4-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT400-48-12 | BTC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT400-48-24 | BTC | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 144A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R011M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V | auf Bestellung 1915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R015M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V | auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R025M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R025M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.1mOhm @ 15.7A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 200 V | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R036M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 1978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R036M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SIC-MOS | auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R045M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC-MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.2mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT40R045M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT4T108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | auf Bestellung 7336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT4T108 Produktcode: 142443
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT4T108 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP 120V 50MA SOT-457 | auf Bestellung 32245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT4T108 | ROHM - Japan | 2xPNP 120V 50mA 300mW IMT4T108 SC-74-6 Rohm TIMT4T108 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IMT4T108 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2PNP DUAL 120V 50MA SMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SMT6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT4T4 | ROHM | 02+ SOT-163 | auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT5 | ROHM | SOT163 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT5123-A1 | IMT | 0432+ | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT5123-AZ | IMT | 0449+ QFP | auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT5123-B2 | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IMT5T110 | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
IMT65R010M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R015M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 131A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R020M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 105A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R020M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551136 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R022M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R022M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R022M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R022M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R026M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R026M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R026M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 81A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551137 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R030M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R030M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R030M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R030M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R030M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R030M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 71 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R033M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R033M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R033M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 68A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551138 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R039M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SP005716838 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R039M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R039M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R040M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R040M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R040M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 58.7A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551139 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R048M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R048M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R050M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 48.1A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R050M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551140 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R057M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R057M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R057M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R057M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R060M2HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R060M2HXUMA1 - SIC-MOSFET N-KANAL 650V 41.4A HSOF-8 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R060M2HXUMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551141 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 36A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R072M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R072M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 36 A, 650 V, 0.072 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R072M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R083M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551142 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R083M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R083M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R083M1HXUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMT65R083M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551144 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R107M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R107M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R107M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R163M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551146 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R163M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R163M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R163M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SP005716855 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R163M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | SP005551147 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R260M1HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Discontinued at Digi-Key | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R260M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R260M1HXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R260M1HXUMA1 | Infineon Technologies | SP005716858 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT65R260M1HXUMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT7057-10 | N/A | SOP-20 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT82BPSM3 | SELS | IMT8-2B-PS-M3 AC Cylindrical Inductive Sensors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMT901 | Nanotec | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMT901 Produktcode: 61176
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| IC > IC Motortreiber | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
IMTA65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R020M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R020M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R040M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.036 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R050M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R050M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMTA65R060M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies | Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
IMTA65R060M2HXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IMTA65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37 A, 650 V, 0.055 ohm, LHSOF tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |