Produkte > IXU
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|
| IXUC100N055 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUC160N075 | IXYS | MOSFET 160 Amps 75V 5.1 Rds | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUC160N075 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUC200N055 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUN280N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 770W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 440 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUN350N10 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 350 Amps 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUN350N10 | IXYS | auf Bestellung 547 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| IXUN350N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUN350N10 | IXYS | 350A/100V/MOS/1U | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUV170N075 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 175A PLUS220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXUV170N075S | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 175A PLUS-220SMD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |