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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
MVG24-110/32DFX3M Electronic SpecialtyTerminals F/M DISCNCT VNYL INS 70F-110-32-PB-A
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1+3.94 EUR
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1000+2.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110/32DFX-BOTTLE3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 20-26 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110DFK3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 20-26 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110DFK3M Electronic SpecialtyTerminals 70F-110-20-PB-A 80610034490
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MVG25WV47UF
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MVG35WV47UF(M)F60
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5771 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 75MA 90MO
auf Bestellung 8451 Stücke:
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2+1.47 EUR
10+0.97 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25883 Stücke:
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11+1.65 EUR
18+1.03 EUR
100+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMIMVGSF1N02LT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03Lonsemi NFET SOT23 30V 1.6A 0.100
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GONSEMIMVGSF1N03LT1G SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100
auf Bestellung 11202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.88 EUR
100+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.32 EUR
20+0.89 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH