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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MVG24-110/32DFX3M Electronic SpecialtyTerminals F/M DISCNCT VNYL INS 70F-110-32-PB-A
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1+4.69 EUR
10+4.11 EUR
20+4 EUR
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200+3.28 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110/32DFX-BOTTLE3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.11 100PC
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Non-Mating End Insulated
Wire Gauge: 20-26 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Yellow
Gender: Female
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Termination: Crimp
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110DFK3M Electronic SpecialtyTerminals 70F-110-20-PB-A 80610034490
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG24-110DFK3MDescription: CONN QC RCPT 20-26AWG 0.110
Packaging: Bulk
Gender: Female
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 20-26 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.630" (16.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.110" (2.79mm)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG25WV47UF
auf Bestellung 600 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVG35WV47UF(M)F60
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5771 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+2.05 EUR
184+1.26 EUR
275+0.79 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.55 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 75MA 90MO
auf Bestellung 8098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.95 EUR
10+1.07 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MVGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.94 EUR
198+1.18 EUR
292+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
15000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 2A; 400mW; SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N02LT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03Lonsemi NFET SOT23 30V 1.6A 0.100
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 1.6A 0.100
auf Bestellung 9721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
20+1.06 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MVGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH