Produkte > NVD
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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NVD0.2CKK-8G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.2CKK-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-24V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.2EKK-8G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.2EKK-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-24V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.3CHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.3CJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.3CJJ-M6-TSTDT | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD0.3EHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.3EJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.3EJJ-M6 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC-DC CONVERTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.4YJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.4YJJ-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.4YJJ-M6G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER +/-15V 6W | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.4ZJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.5YHH-M6 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.5YHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.5YHH-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.5YHH-M6G | Bel Power Solutions | Description: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.5ZHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-12V 0.25A | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.7CGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD0.7EGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01YGG-M6 | Bel Power Solutions | Module DC-DC 2-OUT 5V/-5V 0.5A/0.5A 5W 14-Pin SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01YGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 2-OUT 5V/-5V 0.5A/-0.5A 6W 14-Pin SMT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD01ZGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 19-32V IN 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 5V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05SCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 5mm | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD022 | KOA Speer Electronics | Var MOV 14VAC/18VDC 125A 22V Thru-Hole 5mm Dia Radial Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 5mm | auf Bestellung 491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 5mm | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 5mm | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 5mm | auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 5mm | auf Bestellung 699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 5mm | auf Bestellung 627 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 5mm | auf Bestellung 1249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 5mm | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD05UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 5mm | auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 5mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD05UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 5mm | auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07SCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 7mm | auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 7mm | auf Bestellung 1819 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 7mm | auf Bestellung 979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 7mm | auf Bestellung 2659 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 7mm | auf Bestellung 7605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 7mm | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 7mm | auf Bestellung 5044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 7mm | auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 7mm | auf Bestellung 2244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD07UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD430 | KOA Speer Electronics | Var MOV 275VAC/350VDC 1250A 430V 7mm Dia Radial Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 7mm | auf Bestellung 1994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 7mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD07UCDMHTA068 | KOA Speer | Varistors 68 Volts VARISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 10mm | auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD1100 | KOA Speer | Varistors 1100Volt 10mm | auf Bestellung 818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD1800 | KOA Speer | Varistors 1800Volt 10mm | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 10mm | auf Bestellung 2468 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD10UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 10mm | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 10mm | auf Bestellung 1933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 10mm | auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD10UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 10mm | auf Bestellung 1976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD10UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 10mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD12SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 12V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD12SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 48V TO 12V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 14A 95MO | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14N03RT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD14N03RT4G - NVD14N03RT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14N03RT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14N03RT4G | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | auf Bestellung 1886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14SCD100 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD14SCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 14mm Metal Oxide Varistor | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 14mm | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 14mm | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD1800 | KOA Speer | Varistors 1800Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 14mm | auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 14mm | auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD430 | KOA Speer Electronics | Var MOV 275VAC/350VDC 4500A 430V Thru-Hole Radial | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 14mm | auf Bestellung 1503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD470 | KOA Speer Electronics | Var MOV 300VAC/385VDC 4500A 470V 14mm Dia Radial Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 14mm | auf Bestellung 2639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD620 | KOA Speer Electronics | Var MOV 385VAC/505VDC 4500A 620V Thru-Hole Radial | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 14mm | auf Bestellung 4598 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 14mm | auf Bestellung 901 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD14UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD14UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 14mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD15SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 15V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD15SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 15V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD15SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 48V TO 15V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD15SD | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 85-140V IN 15V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2004 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD2014 | auf Bestellung 17517 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20N03L27T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20N03L27T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD360 | auf Bestellung 43000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD390 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 20mm | auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD430 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD470 | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD620 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD680 | auf Bestellung 43000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD750 | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 20mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD780 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 20mm | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD20UCD820 | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD20UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 20mm | auf Bestellung 799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD20UCD910 | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD24SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 24V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD24SC24-U1 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 24V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD24SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 24V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD260N65S3T4G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD260N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD260N65S3T4G | ONSEMI | NVD260N65S3T4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD260N65S3T4G | ON Semiconductor | N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD260N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD2955 | onsemi | onsemi PFET DPAK 60V 12A 180MO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO | auf Bestellung 1538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2955T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2955T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2955T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD2955T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3.3SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 3.3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3.3SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 3.3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3.3SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 3.3V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V .094R TR | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 12A 94MOHM | auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055-094T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055-094T4G-VF01 | ONSEMI | NVD3055-094T4GVF01 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-094T4G-VF01 | ON Semiconductor | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD3055-150T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD3055-150T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V .150R TR | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055-150T4G-VF01 | ONSEMI | NVD3055-150T4GVF01 SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM | auf Bestellung 1836 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055-150T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 292500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055-150T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L104T4G-VF01 | onsemi | Description: NVD3055L104 - NFET DPAK 60V SPCL Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L104T4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V SPCL TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L104T4G-VF01 | ON Semiconductor | NFET DPAK 60V SPCL TR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM | auf Bestellung 823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD3055L170T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM | auf Bestellung 6757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD3105LT1G | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD360N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD360N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD360N65S3T4G | ON Semiconductor | NVD360N65S3T4G | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD360N65S3T4G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 10 A, 360 mohm, DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD360N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7271 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD360N65S3T4G | ONSEMI | NVD360N65S3T4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4804NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD4804NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M | auf Bestellung 649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4804NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4804NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4804NT4G - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4804NT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4804NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4805NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4805NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806N | onsemi | onsemi NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 38679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4806NT4G - NVD4806NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 38679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G-VF01 | onsemi | Description: NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD4806NT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4806NT4G-VF01 - NVD4806NT4G-VF01, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4806NT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD4808NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4808NT4G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4808NT4G | onsemi | Description: NVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V | auf Bestellung 24748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4808NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4808NT4G - NVD4808NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 24748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NHT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NHT4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4809NT4G - NVD4809NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 11480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 11480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NT4G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 30V, 58A, 9 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4809NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4810NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4810NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 12.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4810NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4810NT4G - NVD4810NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4810NT4G | onsemi | Description: NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD4810NT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4810NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4815NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4815NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4815NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R | auf Bestellung 2498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 16.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 25V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4856NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4C05NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4C05NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4C05NT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 16573 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD4C05NT4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD4C05NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G | ON Semiconductor | MOSFET 60V T1 PCH DPAK | auf Bestellung 13888 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 5854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5117PLT4G-VF01 | ONSEMI | NVD5117PLT4G-VF01 SMD P channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5117PLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm | auf Bestellung 6542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM | auf Bestellung 14818 Stücke: Lieferzeit 437-441 Tag (e) |
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NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5407NT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5407NT4G | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 38A, 26mO, Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK. | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5407NT4G | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5414NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM | auf Bestellung 1308 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5414NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5414NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5414NT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5414NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 54A 17MOHM | auf Bestellung 9326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5484NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5484NLT4G - NVD5484NLT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK | auf Bestellung 24609 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5484NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 54A 17MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5490NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5490NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5490NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5490NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET 60V 17A 64 mOhm Single N−Channel DPAK Logic Level | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G | onsemi | MOSFET DPAK 3W SMT PBF | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G-TB01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5802NT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5803NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5803NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5803NT4G | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD5803NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5805NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5805NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5805NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM | auf Bestellung 2414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5805NT4G-VF01 | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5805NT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 40V | auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5806NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5807NT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862N | auf Bestellung 27600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD5862N | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862NT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862NT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5862NT4G-VF01 | onsemi | Description: NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NL | auf Bestellung 27600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVD5863NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM | auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5863NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5865NL | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 34A 18MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5865NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5865NLT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5865NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5865NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NL | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2277 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G-TB01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5867NLT4G-TB01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890N | onsemi | onsemi NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NLT4G-VF01 | onsemi | Description: NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5890NT4G | ON Semiconductor | MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI | auf Bestellung 2019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5890NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5890NT4G-VF01 | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 123A, 3.7 MOHM Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C434NT4G | ONSEMI | NVD5C434NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C434NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V SL IN DPAK | auf Bestellung 2451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C434NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C434NT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5C434NT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V SL IN DPAK | auf Bestellung 3654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C434NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C446NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V SL DPAK | auf Bestellung 3717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C446NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C446NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C446NT4G | ONSEMI | NVD5C446NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C446NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C446NT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5C446NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NLT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5C454NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C454NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NLT4G | ONSEMI | NVD5C454NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C454NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5C454NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C454NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C454NT4G | ONSEMI | NVD5C454NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NLT4G | ONSEMI | NVD5C460NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NLT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 7400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVD5C460NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C460NT4G | ONSEMI | NVD5C460NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | ONSEMI | NVD5C464NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | onsemi | MOSFET T6 40V SL DPAK | auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | auf Bestellung 3054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C464NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C478NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C478NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C478NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 2309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C478NLT4G | ONSEMI | NVD5C478NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C478NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C478NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C478NT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C478NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C486NLT4G | ONSEMI | NVD5C486NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C486NLT4G | onsemi | MOSFET T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C486NT4G | onsemi | MOSFET T6 40V DPAK EXP | auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C486NT4G | ONSEMI | NVD5C486NT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NL | onsemi | onsemi T6 60V LL DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NLT4G | ONSEMI | NVD5C632NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C632NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 60V LL DPAK | auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C648NL | onsemi | T6 60V LL DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 292500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5C648NLT4G | ONSEMI | NVD5C648NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 294425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C648NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD5C648NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 60V LL DPAK | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V LL DPAK | auf Bestellung 2453 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C668NLT4G | ONSEMI | NVD5C668NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK | auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C684NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V LL DPAK | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C684NLT4G | ONSEMI | NVD5C684NLT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C684NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C684NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C688NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C688NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD5C688NLT4G | onsemi | MOSFET T6 60V LL DPAK | auf Bestellung 8340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD5C688NLT4G | ONSEMI | NVD5C688NLT4G SMD N channel transistors | auf Bestellung 1961 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NVD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO | auf Bestellung 1710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6414ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6414ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6414ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6414ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6414ANT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 100V 23A 56MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | auf Bestellung 222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM | auf Bestellung 4993 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6415ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | auf Bestellung 862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-001 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-001-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-001-VF01 | onsemi | Description: NVD6416 - N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM | auf Bestellung 4969 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | N-Channel Power MOSFET 100 V 17 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6416ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6495NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | auf Bestellung 1616 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6495NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | auf Bestellung 1944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6495NLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6495NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6495NLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6820NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6820NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM | auf Bestellung 1285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 100V 40A 24MOHM | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6828NLT4G | onsemi | Description: 8A, 90V, 0.031OHM, N-CHANNEL, M Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6828NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM | auf Bestellung 2711 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD6828NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVD7NV04 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVDAC64 | ST | 00+ QFP | auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDAC64-17 | ST | QFP128 | auf Bestellung 144 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDAC64-17 | NV | QFP | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDCK001KIT | KOA Speer | Circuit Protection Kits VARISTORS 127 values, 5 pcs ea | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDD5894NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVDD5894NLT4G - NVDD5894NLT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDD5894NLT4G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-5 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDD5894NLT4G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-5 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVDD5894NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDD5894NLT4G | ON Semiconductor | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
NVDIACK8 | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
NVDS015N15MCT4G | ONSEMI | NVDS015N15MCT4G SMD N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDS015N15MCT4G | onsemi | MOSFETs PTNG 150V 15MOHM, DPAK, AUTOMOTIVE | auf Bestellung 2163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVDS015N15MCT4G | onsemi | Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2090 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NVDS015N15MCT4G | ON Semiconductor | N Channel Shielded Gate Power Trench 150 V, 15 m, 61.3 A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDS015N15MCT4G | onsemi | Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH20120C | ON Semiconductor | SiliconCarbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH20120C | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH50120C | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH50120C | ON Semiconductor | SiliconCarbide Schottky Diode 1200 V, 50 A Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH50120C | ONSEMI | NVDSH50120C THT Schottky diodes | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
NVDSH50120C | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 53A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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