Produkte > P1H
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| P1H06300D8 | PN Junction Semiconductor | Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 8X8 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +10V, -20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN8*8 Power Dissipation (Max): 55.5W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P1H17400VJ-6 | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| P1H17405D7-6 | auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |