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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
P2N0403INFINEON
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P2N0403INFINEON09+ TO-263
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P2N0403
Produktcode: 63241		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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P2N0403INFINEON08+
auf Bestellung 957 Stücke:
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P2N04L03INFINEON
auf Bestellung 2000 Stücke:
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P2N04L03
Produktcode: 63242		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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P2N04L03INFINEON09+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
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P2N2222AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2222ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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P2N2222A
auf Bestellung 1550 Stücke:
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P2N2222AonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 75V NPN
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P2N2222AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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P2N2222AGonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2222AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2222AGonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 75V NPN
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P2N2222ARL1onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2222ARL1
auf Bestellung 10000 Stücke:
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P2N2222ARL1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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P2N2222ARL1G
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2222ARL1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2222ARL1G (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 29598		Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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P2N2222AZL1onsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2222AZL1G
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2222AZL1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2369ZL1onsemiDescription: NPN 625MW 15V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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P2N2369ZL1GonsemiDescription: SS T092 GP XSTR NPN SPCL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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P2N2369ZL1G
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2907AonsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
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P2N2907AonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2907ADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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P2N2907AG
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2907AGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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P2N2907AGON SemiconductorGP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
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P2N2907ARL1
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2907ARL1onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907ARL1GON SemiconductorGP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907ARL1G
Produktcode: 53403		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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P2N2907ARL1GON SemiconductorGP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907ARL1GON07+ QFP
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2907ARL1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907AZL1
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N2907AZL1onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907AZL1onsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6662+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6662
P2N2907AZL1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
P2N2907AZL1G
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2N60EONTO-220
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2NA60
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2NC60ST04+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2NK60ST05+
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
P2NLT-500-3PanduitTerminals Cppr Mech Lug 2 Hole 2 Barrel Tin-P
Produkt ist nicht verfügbar
P2NLT-500-3Panduit CorpDescription: CONN TERM RECT LUG 4 AWG
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+330.38 EUR