Produkte > P3M
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||
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| P3M | Switchcraft Inc. | Description: CONN RCPT MALE 3PIN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M | Switchcraft | XLR Connectors 3P GOOSENECK PLUG | auf Bestellung 529 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M-42D-K8 | auf Bestellung 6280 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| P3M-42D-K8 | 00+ | auf Bestellung 12560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| P3M06040K3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-3 | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M06040K4 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 650V 68A TO247-4 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M06300D8 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M06300T3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M12017K4 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 789W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 75mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12025K3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 113A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 524W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 17.7mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12025K4 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 577W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M12040G7 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 357W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ) Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12040K3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 349W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12080G7 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 136W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30mA (Typ) Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12080K3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 221W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12080K4 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 221W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12160K3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 110W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-3L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M12160K4 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 110W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ) Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +21V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3M171K0T3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1700V 6A TO-220-3 | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3M173K0T3 | PN Junction Semiconductor | Description: SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3 | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3MB | Switchcraft | XLR Connectors PEM W/BLACK HOUSING | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MB | Switchcraft Inc. | Description: CONN RCPT MALE 3PIN BLACK | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MDN800 | Eaton Electrical | 800A MD BKR NEU | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MM | Apex Tool Group | Description: NUT DRIVER HEX SOCKET 3MM 3.5" | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MS650100H-4CR | onsemi | Description: IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN Packaging: Bulk Package / Case: 4-WFDFN Mounting Type: Surface Mount Output: LVCMOS Frequency - Max: 60MHz Input: LVCMOS Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2) PLL: Yes Divider/Multiplier: No/No Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 57070 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| P3MS650100H-4CR | onsemi | Description: IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-WFDFN Mounting Type: Surface Mount Output: LVCMOS Frequency - Max: 60MHz Input: LVCMOS Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V Ratio - Input:Output: 1:1 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2) PLL: Yes Divider/Multiplier: No/No Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MS650100H-4CR | ON Semiconductor | Clock Generator 15MHz to 60MHz-IN 60MHz-OUT 4-Pin WDFN T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MS650103H-4CR | ON Semiconductor | Clock Generators & Support Products 1.8V/2.5V/3.3V GP EMI | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MS650103H-4CR | ON Semiconductor | 1.8V/2.5V/3.3V, LVCMOS Peak EMI Reduction Clock Generator | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| P3MS650103H-4CR | onsemi | Description: P3MS650103 - 1.8V/2.5V/3.3V GP E Packaging: Bulk Package / Case: 4-WFDFN Mounting Type: Surface Mount Output: LVCMOS Frequency - Max: 60MHz Input: LVCMOS Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2) PLL: Yes Divider/Multiplier: No/No Part Status: Active Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 16693 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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