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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
RHK003N06ROHMSOT23
auf Bestellung 2260 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06ROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06ROHMSOT-23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06ROHM10+ROHS SMT3
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RHK003N06/RKSROHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06<T146>ROHMSOT23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146ROHM SemiconductorMOSFETs SMT3 N CHAN 45V
auf Bestellung 875 Stücke:
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4+0.90 EUR
10+0.57 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146ROHMDescription: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.00 EUR
29+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.30 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146ROHMDescription: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SMT3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Mounting: SMD
Case: SMT3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06FS T146ROHMSOT23
auf Bestellung 2383 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06T146
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06T146ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 60V 300MA
auf Bestellung 2775 Stücke:
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3+0.98 EUR
10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.21 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK003N06T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
28+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03ROHM10+ROHS SMT3
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03ROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03ROHMSOT23
auf Bestellung 48000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
28+0.63 EUR
100+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03FRAT146ROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and compl
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.60 EUR
100+0.30 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.20 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03T146
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK005N03T146ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V 500MA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK1N0038BPZEM5775VishaySpeciality Ceramic Capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK1N0038BPZEN5776VishaySpecialty Ceramic Capacitors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK3845MKDICEAnalog DevicesRH3845MK DICE Current Mode PWM Controller 36VDC Output Development Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHK412BEA76APC by Schneider ElectricArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHKM-48.115.9002Elesa USA CorporationDescription: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RHKM-48.115.9005Elesa USA CorporationDescription: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH