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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
SQ7002K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
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SQ701
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ721
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ741
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ7414AEN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SQ7414AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK EP T/R
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SQ7414AEN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
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SQ7414AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK EP T/R
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SQ7414AEN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 13473 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
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SQ7414AENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 16893 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
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SQ7414AENW-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
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SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
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SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.21 EUR
15+ 1.8 EUR
100+ 1.41 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
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SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
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SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
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SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.91 EUR
6000+ 0.87 EUR
9000+ 0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
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SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
auf Bestellung 1643 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.28 EUR
147+ 1.03 EUR
206+ 0.71 EUR
208+ 0.67 EUR
342+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 123
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
auf Bestellung 87687 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
26+2.06 EUR
32+ 1.68 EUR
100+ 1.32 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.93 EUR
3000+ 0.92 EUR
6000+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 26
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
auf Bestellung 58975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
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SQ7414EN-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ7414EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
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SQ7415AEN-T1VishaySQ7415AEN-T1
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SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.2 EUR
153+ 0.99 EUR
154+ 0.94 EUR
204+ 0.69 EUR
250+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 130
SQ7415AEN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3
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SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SQ7415AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_BE3VishaySQ7415AEN-T1_BE3
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
293+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 293
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
256+0.59 EUR
268+ 0.52 EUR
279+ 0.46 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 256
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 5775 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12908 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
12+2.26 EUR
14+ 1.95 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.13 EUR
1000+ 0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 16634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415CENW-T1_GE3VishayMOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 18704 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
23+2.27 EUR
27+ 1.94 EUR
100+ 1.36 EUR
500+ 1.14 EUR
1000+ 0.97 EUR
3000+ 0.86 EUR
6000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SQ7415CENW-T1_GE3VishayP-Channel 60 V 16A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+11.09 EUR
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.85 EUR
6000+ 0.81 EUR
9000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 16634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SQ7415EN-T1VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
SQ7415EN-T1-E3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQ7415EN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SQ742
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sq747ea
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SQ74FCT2X2245ATQ2IDT00/01
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)