SQ7414CENW-T1_BE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details SQ7414CENW-T1_BE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQ7414CENW-T1_BE3 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.92 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQ7414CENW-T1_BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQ7414CENW-T1_BE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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