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SQV120N06-4m7L_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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SQV120N06-4m7L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SQV120N06-4M7L_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262
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SQV120N10-3M8_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262
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SQV120N10-3M8_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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SQV120N10-3M8_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Chnl 100-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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SQV322520T-1R2M-S
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SQV322520T-2R2K-S
auf Bestellung 200 Stücke:
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SQV322520T-561J-NYageoInductor RF Wirewound 560uH 5% 1KHz 50Q-Factor Ferrite 0.04A 28Ohm DCR 1210 T/R
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SQV453226T-102J-NYageoInductor RF Wirewound 1000uH 5% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 0.05A 25Ohm DCR 1812 T/R
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SQV453226T-102J-NPulse ElectronicsRF Inductors - SMD
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SQV453226T-220J-N
auf Bestellung 25000 Stücke:
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SQV453226T-220k-N
auf Bestellung 25000 Stücke:
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SQV453226T-221JYAGEO
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SQV453226T-221J-S
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQV453226T-222J-NYageoInductor RF Wirewound 2200uH 5% 1KHz 40Q-Factor Ferrite 0.03A 50Ohm DCR 1812 T/R
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SQV453226T-222J-NPulse ElectronicsRF Inductors - SMD
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SQV453226T-271J
auf Bestellung 500 Stücke:
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SQV453226T-681JCHILISIN
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SQV90N06-05-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262
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