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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
TN2Cinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: CONN ADAPT TRB JACK TO TRB PLUG
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TN2Trompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee TRB Fixed Parrallel One Male to Two JKs
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TN2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
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TN2-12V/5V
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TN2-24VPanasonic Industrial DevicesLow Signal Relays - PCB 1A 24VDC DPDT NON-LATCHING PCB
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TN2-24VNAIS07+
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TN2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
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Coil Current: 8.3 mA
Coil Type: Non Latching
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Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 2.4 VDC
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-3VNAIS07+
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TN2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 3VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 3VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Non Latching
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Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-3V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 3VDC
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TN2-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
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Relay Type: General Purpose
Coil Current: 31.1 mA
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Release Time: 3 ms
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TN2-4.5VNAIS07+
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TN2-4.5V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5VDC
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TN2-48VPanasonic Electric WorksSignal Relay 48VDC 1A DPDT(14x5.6x9.8)mm THT
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TN2-48VNAIS07+
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TN2-48VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 48VDC
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TN2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
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TN2-5VPanasoni10+ SOP
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TN2-5VNAIS07+
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TN2-5V(SIGNAL RELAY DPDT 5VDC, 1A)
Produktcode: 74350		Verschiedene Bauteile > Other components 3
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TN2-5V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
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TN2-6VNAIS07+
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TN2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
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TN2-9VNAIS07+
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TN2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 9VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 9VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
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Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15.5 mA
Coil Type: Non Latching
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Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Release Voltage: 0.9 VDC
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Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-DC5V
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TN2-H-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
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TN2-H-12VNAIS07+
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TN2-H-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24V
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TN2-H-24VNAIS07+
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TN2-H-3VNAIS07+
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TN2-H-4.5VNAIS07+
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TN2-H-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
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TN2-H-48VNAIS07+
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TN2-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
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TN2-H-5VNAIS07+
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TN2-H-6VNAIS07+
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TN2-H-9VNAIS07+
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TN2-H-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 9V
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TN2-L-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 8.3 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
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Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-L-12VNAIS07+
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TN2-L-12V-3Panasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
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TN2-L-24VNAIS07+
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TN2-L-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 6.3 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-L-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 3V
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TN2-L-3VNAIS07+
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TN2-L-4.5VNAIS07+
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TN2-L-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
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TN2-L-48VNAIS07+
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TN2-L-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 20 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Seal Rating: Sealed - Fully
Contact Material: Silver (Ag), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 125VAC, 110VDC - Max
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Obsolete
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TN2-L-5VNAIS07+
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TN2-L-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
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TN2-L-6VNAIS07+
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TN2-L-9VNAIS07+
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TN2-L-DC12V
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TN2-L-DC4.5V
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TN2-L-H-12VNAIS07+
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TN2-L-H-24VNAIS07+
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TN2-L-H-3VNAIS07+
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TN2-L-H-4.5VNAIS07+
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TN2-L-H-48VNAIS07+
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TN2-L-H-5VNAIS07+
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TN2-L-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
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TN2-L-H-6VNAIS07+
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TN2-L-H-9VNAIS07+
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TN2-L2-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
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TN2-L2-12VNAIS07+
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TN2-L2-24VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 24V
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TN2-L2-24VNAIS07+
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TN2-L2-3VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 3V
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TN2-L2-3VNAIS07+
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TN2-L2-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
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TN2-L2-4.5VNAIS07+
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TN2-L2-48VNAIS07+
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TN2-L2-5VNAIS07+
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TN2-L2-5VPanasonic Electric WorksSignal Relay 5VDC 1A DPDT(14x5.6x9.8)mm THT
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TN2-L2-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 5VDC
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TN2-L2-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
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TN2-L2-6VNAIS07+
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TN2-L2-9VNAIS07+
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TN2-L2-9VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 9V
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TN2-L2-DC5V
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TN2-L2-H-12VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
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TN2-L2-H-12VNAIS07+
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TN2-L2-H-24VNAIS07+
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TN2-L2-H-3VNAIS07+
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TN2-L2-H-4.5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 4.5V
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TN2-L2-H-4.5VNAIS07+
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TN2-L2-H-48VNAIS07+
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TN2-L2-H-5VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 5V
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TN2-L2-H-5VNAIS07+
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TN2-L2-H-6VNAIS07+
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TN2-L2-H-6VPanasonic Electric WorksDescription: RELAY GENERAL PURPOSE DPDT 1A 6V
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TN2-L2-H-9VNAIS07+
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TN20TE Connectivity / RaychemWire Labels & Markers
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TN20-2G300JS
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TN20-2G300JS0805T
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TN20-2I500JS-T
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TN20-2S101JT0805T
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TN20-2S223JT0805T
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TN20-2T151JT
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TN20-2T151KST
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TN20-2T151KT0805T
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TN20-2T151KT
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TN20-2V221JT0805T
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TN20-2V221JT
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TN20-3A331JT
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TN20-3A331KT0805T
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TN20-3A331KT
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TN20-3E102JT
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TN20-3E102KT
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TN20-3E681JT
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TN20-3H103JT0805T
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TN20-3H103JT
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TN20-3I152JS-T
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TN20-3I152KT
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TN20-3I152LT
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TN20-3K103JT
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TN20-3K103KT
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TN20-3K103KT0805T
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TN20-3K202KMITSUBISHI
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TN20-3K202KT
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TN20-3N153
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TN20-3N153JT0805T
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TN20-3N153KT
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TN20-3R803JT
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TN20-3S104FT0805T
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TN20-3S104FT
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TN20-3S223KT
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TN20-3S332KT
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TN20-3U473JTMITSUBISHI05+
auf Bestellung 8000 Stücke:
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TN20-3U473JTMITSUBISHI2005+
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TN20-3V103JTMIT
auf Bestellung 12000 Stücke:
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TN20-3V103XT
auf Bestellung 16914 Stücke:
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TN20-3V473K0805T
auf Bestellung 8000 Stücke:
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TN20-3V473K
auf Bestellung 4000 Stücke:
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TN20-3W472JT0805T
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-3W472JT
auf Bestellung 1322 Stücke:
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TN20-3W503JT
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4C104JT0805T
auf Bestellung 24000 Stücke:
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TN20-4C104JT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4C104KT0805T
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4C104KT
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4C682JT
auf Bestellung 6760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4C682KT
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-4D154KT
auf Bestellung 6107 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-5A205JTMITSUBISHISMD
auf Bestellung 86200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-5A205kT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-5e205JT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN20-5E505KTMITSUBISHI0805T
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2001
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TN2005BROTHERDescription: BROTHER - TN2005 - Tonerkartusche, schwarz - 1500 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2005
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: Decamethylcyclopentasiloxane (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3TaiwanДросель-трубка; I, А = 2; L = 1 мкГн; Тексп, °С = -25...+85; 7.6x3.5x5mm
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+0.34 EUR
25+ 0.25 EUR
100+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3Муфта помехоподавляющяя Ui=2000 NiZn (трубка на провод d<1,3mm)
Produkt ist nicht verfügbar
TN200B-RH-3.5-5.0-1.3
Produktcode: 85723		ChinaTransformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Filter auf Kabel
Serie: RH
Typ: Rohr
Größe, Typ: RH3,5/5,0/1,3
Beschreibung: Ferrit Entstörung Rohr auf Draht d<1,3mm D=3,5mm h=5,0mm Ui=2000 NiZn
Material: TN200B
Durchlässigkeit, µi: Ui=2000
auf Bestellung 139 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.1 EUR
TN201
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010BROTHERDescription: BROTHER - TN2010 - Tonerkartusche, schwarz - 1000 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Schwarz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2010
Produktpalette: -
SVHC: Dodecamethylcyclohexasiloxane (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2010H-6FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2010H-6FP - Thyristor, 600 V, 10 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220FPAB, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 197
Zündstrom, max., Igt: 10
Zündspannung, max., Vgt: 1.3
Haltestrom Ih, max.: 40
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 12.7
Produktpalette: TN2010H
Bauform - Thyristor: TO-220FPAB
Betriebstemperatur, max.: 150
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 20
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
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223+0.7 EUR
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsTN2010H-6FP SMD/THT thyristors
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
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TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
auf Bestellung 364 Stücke:
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17+3.17 EUR
19+ 2.83 EUR
25+ 2.7 EUR
100+ 2.21 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
auf Bestellung 478 Stücke:
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276+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 276
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 1151 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.38 EUR
10+ 3.02 EUR
100+ 2.35 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2010H-6FPSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220FPAB Tube
auf Bestellung 1500 Stücke:
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TN2010H-6GSTMicroelectronicsTN2010H-6G SMD/THT thyristors
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TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
auf Bestellung 1915 Stücke:
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17+3.17 EUR
19+ 2.83 EUR
25+ 2.76 EUR
100+ 2.21 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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TN2010H-6GSTMicroelectronicsDescription: SCR 700V 20A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 700 V
auf Bestellung 1955 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.38 EUR
10+ 3.02 EUR
100+ 2.35 EUR
500+ 1.94 EUR
1000+ 1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2010H-6GSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 12706 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.38 EUR
10+ 3.02 EUR
100+ 2.35 EUR
500+ 1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsTN2010H-6G-TR SMD/THT thyristors
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TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
auf Bestellung 4457 Stücke:
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17+3.17 EUR
19+ 2.83 EUR
25+ 2.76 EUR
100+ 2.21 EUR
500+ 1.83 EUR
1000+ 1.44 EUR
2000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+1.53 EUR
2000+ 1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2010H-6G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TN2010H-6ISTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 13 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
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TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
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TN2010H-6ISTMicroelectronicsTN2010H-6I SMD/THT thyristors
auf Bestellung 107 Stücke:
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50+1.44 EUR
76+ 0.94 EUR
80+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCRs 20 A 600 V Low IGT High Temperature SCR in TO220I
auf Bestellung 3991 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.25 EUR
29+ 1.85 EUR
100+ 1.65 EUR
500+ 1.55 EUR
1000+ 1.39 EUR
2000+ 1.29 EUR
10000+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN2010H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
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TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TN2010H-6TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2010H-6T - Thyristor, 600 V, 10 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 40mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 197A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 12.7A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 20A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2010H
Zündstrom, max.: 10mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2010H-6TSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 197A, 180A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.2 EUR
10+ 2.87 EUR
100+ 2.24 EUR
500+ 1.85 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TN2010H-6TSTMicroelectronicsTN2010H-6T SMD/THT thyristors
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TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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TN2010H-6TSTMicroelectronicsSCRs High Temperature 20A SCRs
auf Bestellung 1978 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+3.02 EUR
20+ 2.7 EUR
25+ 2.68 EUR
100+ 2.1 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.37 EUR
2000+ 1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TN2010TVISHAY
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1VISHAYSOT23-R1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1SI
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1 SOT23-R1VISHAY
auf Bestellung 72200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1 SOT23-R1VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 57018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1SOT23
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2010T-T1SOT23-R1VISHAY
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2015H-6FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2015H-6FP - Thyristor, 600 V, 15 mA, 12.7 A, 20 A, TO-220FPAB, 3 Pin(s)
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220FPAB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220FPAB
Part Status: Last Time Buy
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsSCRs High temperature 20 A SCRs
auf Bestellung 1187 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
17+3.07 EUR
19+ 2.81 EUR
100+ 2.19 EUR
500+ 1.81 EUR
1000+ 1.43 EUR
2000+ 1.28 EUR
5000+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2015H-6FPSTMicroelectronicsTN2015H-6FP SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCRs 20 A 600 V High Temperature SCR in TO-220I
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.25 EUR
18+ 2.91 EUR
25+ 2.83 EUR
100+ 2.26 EUR
500+ 1.88 EUR
1000+ 1.5 EUR
2000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.08 EUR
152+ 1 EUR
164+ 0.89 EUR
186+ 0.75 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 145
TN2015H-6ISTMicroelectronicsTN2015H-6I SMD/THT thyristors
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+1.2 EUR
91+ 0.79 EUR
97+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 60
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
auf Bestellung 1189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.03 EUR
164+ 0.92 EUR
186+ 0.78 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 152
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 500
TN2015H-6ISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2015H-6I - Thyristor, 600 V, 15 mA, 13 A, 20 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 180A
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 13A
RMS-Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 15mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
auf Bestellung 519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2015H-6ISTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 13 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220AB Insulated
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 1245 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.51 EUR
10+ 3.15 EUR
100+ 2.45 EUR
500+ 2.03 EUR
1000+ 1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2015H-6ISTMicroelectronicsSCR Diode 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2015H-6TSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 197A
Current - On State (It (AV)) (Max): 12.7 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 20 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 2161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
9+3.09 EUR
10+ 2.78 EUR
100+ 2.17 EUR
500+ 1.79 EUR
1000+ 1.41 EUR
2000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TN2015H-6TSTMicroelectronicsSCRs High temperature 20A SCRs
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
18+2.91 EUR
20+ 2.63 EUR
25+ 2.54 EUR
100+ 2.04 EUR
500+ 1.68 EUR
1000+ 1.33 EUR
2000+ 1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TN2015H-6TSTMicroelectronicsSCR 600V 20A(RMS) 197A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN2015H-6TSTMicroelectronicsTN2015H-6T SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2022-A1-CLB2F
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2022-B0
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN203W472KT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN204D154KT
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN205A205JT
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN21-B.29TEKOTN21-B.29 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1+71.5 EUR
2+ 35.75 EUR
50+ 24.98 EUR
TN21-B.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN21-B.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+19.03 EUR
40+ 18.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN21-B2.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN21-B2.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
40+ 20.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN21-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN21-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 24mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 24mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+21.64 EUR
10+ 21.62 EUR
40+ 20.72 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN2101K1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2102
auf Bestellung 12971 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106K
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106K1Supertex
auf Bestellung 6200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 2.5Ohm
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
34+1.55 EUR
40+ 1.31 EUR
100+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 34
TN2106K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106K1-GMicrochipN-Channel 60V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) TN2106K1-G Microchip TTN2106K1-G
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TN2106K1/M1L
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106K1/N1LG
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106N3
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.78 EUR
239+ 0.63 EUR
269+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 202
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+1.61 EUR
25+ 1.33 EUR
100+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2106N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2106N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 0.5 A, 2.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2106
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2106N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 60V 2.5Ohm
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
32+1.64 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 32
TN2106N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2106N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2106N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN21243AirBornOther Tools Tool
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
1+117.81 EUR
5+ 110.86 EUR
10+ 107.41 EUR
25+ 103.95 EUR
50+ 102.02 EUR
100+ 100.1 EUR
250+ 98.2 EUR
TN21243AirBorn, Inc.Description: NUT SPANNER WRENCHES, RECTANGLUL
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: Torque Wrenches
Tool Type: Spanner Tool
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+108.73 EUR
5+ 102.35 EUR
10+ 99.15 EUR
25+ 95.95 EUR
TN2124K1Supertex
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.21 EUR
147+ 1.03 EUR
163+ 0.89 EUR
250+ 0.85 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.77 EUR
3000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 129
TN2124K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6525 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.05 EUR
25+ 1.73 EUR
100+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN2124K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2124K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2124K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.14A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2124K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.37 EUR
124+ 1.22 EUR
147+ 0.99 EUR
200+ 0.9 EUR
500+ 0.86 EUR
1000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 115
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.22 EUR
129+ 1.17 EUR
147+ 0.99 EUR
163+ 0.86 EUR
250+ 0.82 EUR
500+ 0.78 EUR
1000+ 0.73 EUR
3000+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 128
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2124K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2124K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 134 mA, 15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2124K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.134A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.02 EUR
6000+ 0.96 EUR
12000+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2124K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 15Ohm
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
25+2.08 EUR
30+ 1.74 EUR
100+ 1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TN2124K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.14A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN2130K1
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2130K1-GSupertexTransistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN2130K1-G TTN2130k1
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50
TN2130K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2130K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3347 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
24+1.09 EUR
30+ 0.89 EUR
100+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 24
TN2130K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 85
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 25
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2130K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 300V 25Ohm
auf Bestellung 38587 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
52+1.02 EUR
53+ 0.99 EUR
59+ 0.89 EUR
100+ 0.85 EUR
3000+ 0.84 EUR
9000+ 0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 52
TN2130K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2130K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.25A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2130K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN2130K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 300V 0.085A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2130K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2130K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 85 mA, 25 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 360
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 592 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2130K1-G-VAOMicrochip TechnologyMicrochip Technology
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TN2130K1-G-VAOMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
TN22
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN22-1500
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN22-1500BSTTO-252
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN22-1500B-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.64 EUR
10+ 2.98 EUR
100+ 2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN22-1500B-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500B-TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR Diode 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500H
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500HSTMicroelectronicsSCR Diode 400V 2A(RMS) 22A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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TN22-1500HSTMicroelectronicsSCRs 2.0 Amp 1500 Volt
auf Bestellung 1507 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.06 EUR
15+ 3.67 EUR
25+ 3.46 EUR
100+ 2.94 EUR
500+ 2.41 EUR
1000+ 2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN22-1500HSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.74 EUR
75+ 3.02 EUR
150+ 2.49 EUR
525+ 2.1 EUR
1050+ 1.79 EUR
2025+ 1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TN22-1500HSTMicroelectronicsTN22-1500H SMD/THT thyristors
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TN22-1500RSTMicroelectronicsSCRs DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500RSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500TSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 2A; 1.8A; Igt: 1.5mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 2A
Load current: 1.8A
Gate current: 1.5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Application: fluorescent lamp starter
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TN22-1500TSTMicroelectronicsDescription: SCR 400V 2A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 175 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 1.5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 1.8 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 3.1 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Last Time Buy
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 400 V
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TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500TSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 400V; Ifmax: 2A; 1.8A; Igt: 1.5mA; TO220AB; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 2A
Load current: 1.8A
Gate current: 1.5mA
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 180A
Application: fluorescent lamp starter
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
45+1.59 EUR
50+ 1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 45
TN22-1500TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN22-1500T - Thyristor, 400 V, 1.5 mA, 1.8 A, 2 A, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 1.8A
RMS-Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 1.5mA
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Bauform - Thyristor: TO-220AB
Betriebstemperatur, max.: 110°C
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+1 EUR
166+ 0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 157
TN22-1500TSTMicroelectronicsSCRs STARTLIGHT
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.82 EUR
17+ 3.2 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.44 EUR
500+ 2.12 EUR
1000+ 1.96 EUR
2000+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-1500TSTMicroelectronicsThyristor SCR 400V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.04 EUR
157+ 0.96 EUR
166+ 0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 150
TN22-B.29TEKOTN22-B.29 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN22-B.30TEKOTN22-B.30 Multipurpose Enclosures
Produkt ist nicht verfügbar
TN22-B2.29TEKOTN22-B2.29 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
40+ 31.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN22-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 28mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 28mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.05 EUR
10+ 24.04 EUR
40+ 23.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN22-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 28mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 28mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+24.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN22.29TEKOTN22.29 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+24.18 EUR
4+ 22.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN22.30TEKOTN22.30 Multipurpose Enclosures
Produkt ist nicht verfügbar
TN2210BROTHERDescription: BROTHER - TN2210 - Tonerkartusche, schwarz - 1200 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN22150STTO-251
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2215600
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2219AFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226-3
Produkt ist nicht verfügbar
TN2219AON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
TN2219AMRO
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2219AonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226-3
Produkt ist nicht verfügbar
TN2219A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN DARL 40V 0.8A TO237
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+3.72 EUR
10+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TN2219A(D26Z)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2219A-D26ZON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-226 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2219A_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO226
Produkt ist nicht verfügbar
TN2219A_J05ZonsemiDescription: TRANS NPN 40V 1A TO92-3
Produkt ist nicht verfügbar
TN2220BROTHERDescription: BROTHER - TN2220 - Tonerkartusche, schwarz - 2600 Seiten
tariffCode: 84439990
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN224ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-24V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN23-B.29TEKOTN23-B.29 Multipurpose Enclosures
Produkt ist nicht verfügbar
TN23-B.30TEKOTN23-B.30 Multipurpose Enclosures
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+39.18 EUR
3+ 28.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN23-B2.29TEKOTN23-B2.29 Multipurpose Enclosures
Produkt ist nicht verfügbar
TN23-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+26.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN23-B2.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad; with battery compartment; with flap
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+26.63 EUR
30+ 25.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3
TN23.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.43 EUR
50+ 17.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN23.29 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: black
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN23.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN23.30 -ASTEKOCategory: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 96mm; Y: 156mm; Z: 35mm; TEKNET; ABS; grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 96mm
Dimension Y: 156mm
Dimension Z: 35mm
Version: hollowed area for foil keypad
Enclosure series: TEKNET
Enclosure material: ABS
Body colour: grey
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
3+ 23.84 EUR
30+ 17.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
TN23/14/7-3E25FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN23/14/7-3E25 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 3E25, 55.8 mm, 30.9 mm²
Kernmaterialgüte: 3E25
Effektive magnetische Weglänge: 55.8
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 3.82
Effektiver Querschnitt Ae: 30.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN23/14/7-3E25FerroxcubeDescription: Ferrite Misc
Tolerance: ±25%
Packaging: Bulk
Material: 3E25
Diameter: 0.933" (23.70mm)
Height: 0.295" (7.50mm)
Core Type: Toroid
Supplier Device Package: TN 23 x 14 x 7
Inductance Factor (Al): 3.82 µH
Initial Permeability (µi): 5500
Finish: Nylon
Gap: Ungapped
Core Factor (ΣI/A) mm⁻¹: 1.81
Effective Length (le) mm: 55.8
Effective Area (Ae) mm²: 30.9
Effective Magnetic Volume (Ve) mm³: 1722
Produkt ist nicht verfügbar
TN23/14/7-4A11FerroxcubeСердечник TN23/14/7-4A11
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+4.89 EUR
10+ 4.32 EUR
TN23/14/7-4C65FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN23/14/7-4C65 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 4C65, 55.8 mm, 30.9 mm²
Kernmaterialgüte: 4C65
Effektive magnetische Weglänge: 55.8
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 87
Effektiver Querschnitt Ae: 30.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
TN230CBROTHERDescription: BROTHER - TN230C - Tonerkartusche, cyan - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Cyan
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN230C
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: Decamethylcyclopentasiloxane (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN230YBROTHERDescription: BROTHER - TN230Y - Tonerkartusche, gelb - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2310BROTHERDescription: BROTHER - TN2310 - Tonerkartusche, schwarz - 1200 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2310
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: 2-benzyl-2-dimethylamino-4'-morpholinobutyrophenone (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2320BROTHERDescription: BROTHER - TN2320 - Tonerkartusche, schwarz - 2600 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN2320
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: 2-benzyl-2-dimethylamino-4'-morpholinobutyrophenone (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN23ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN24,5ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-4.5V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN24/15-2P80FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 13.8mm; Øout: 24.3mm; Core mat: 2P80; 57nH
Type of ferrite: toroidal
Internal diameter: 13.8mm
Outside diameter: 24.3mm
Core material: 2P80
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 57nH
Height: 8.1mm
Design: plastic sheath
Effective core volume (Ve): 1895mm3
Effective core cross-section (Ae): 32.8mm2
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TN24/15-2P80FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 13.8mm; Øout: 24.3mm; Core mat: 2P80; 57nH
Type of ferrite: toroidal
Internal diameter: 13.8mm
Outside diameter: 24.3mm
Core material: 2P80
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 57nH
Height: 8.1mm
Design: plastic sheath
Effective core volume (Ve): 1895mm3
Effective core cross-section (Ae): 32.8mm2
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Produkt ist nicht verfügbar
TN2404KVishay09+ SMD
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TN2404KVISHAY
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TN2404K-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE-USE TN2404K-T1-E3
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TN2404K-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 240V 0.2A 4.0Ohm
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25+2.08 EUR
29+ 1.85 EUR
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500+ 1.05 EUR
1000+ 0.9 EUR
3000+ 0.81 EUR
6000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TN2404K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
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13+2.08 EUR
15+ 1.81 EUR
100+ 1.26 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+ 0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.49 EUR
6000+ 0.45 EUR
9000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1792 Stücke:
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66+1.09 EUR
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TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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66+1.09 EUR
96+ 0.75 EUR
108+ 0.67 EUR
117+ 0.61 EUR
125+ 0.57 EUR
500+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 66
TN2404K-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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TN2404K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
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13+2.08 EUR
15+ 1.81 EUR
100+ 1.26 EUR
500+ 1.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2404K-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.16A; 0.23W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2404K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2404K-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
auf Bestellung 21749 Stücke:
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25+2.1 EUR
29+ 1.83 EUR
100+ 1.26 EUR
500+ 1.06 EUR
1000+ 0.9 EUR
3000+ 0.77 EUR
6000+ 0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 25
TN2404K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
TN2404K-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - TN2404K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 200 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.65V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2404KL-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2404KL-TAVishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2404KL-TA-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2404KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-226AA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2410
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2410L
auf Bestellung 1280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2410LVishay / SiliconixMOSFET USE TN2404KL-TR1
Produkt ist nicht verfügbar
TN2410L-TR1VishayVishay USE TN2404KL-TR1
Produkt ist nicht verfügbar
TN241BKBROTHERDescription: BROTHER - TN241BK - Tonerkartusche, schwarz - 2500 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN241CBROTHERDescription: BROTHER - TN241C - Tonerkartusche, cyan - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Cyan
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN241C
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN241MBROTHERDescription: BROTHER - TN241M - Tonerkartusche, magenta - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Verbrauchsmaterialtyp: Original
Druckermarke: Brother
euEccn: NLR
Farbe: Magenta
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Typennummer Originalpatrone: TN241M
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN241YBROTHERDescription: BROTHER - TN241Y - Tonerkartusche, gelb - 1400 Seiten
tariffCode: 84733080
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2425N8Microchip TechnologyMOSFET 250V 3.5Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2425N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 1578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4.08 EUR
25+ 3.36 EUR
100+ 3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.38 EUR
67+ 2.27 EUR
81+ 1.81 EUR
100+ 1.58 EUR
250+ 1.5 EUR
500+ 1.42 EUR
1000+ 1.35 EUR
3000+ 1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 66
TN2425N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.5A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2425N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 250V 3.5Ohm
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.11 EUR
25+ 3.38 EUR
100+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN2435N8
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.58 EUR
62+ 2.44 EUR
75+ 1.94 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.6 EUR
500+ 1.5 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 250
TN2435N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2435N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2435N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
auf Bestellung 7796 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4 EUR
25+ 3.3 EUR
100+ 3.04 EUR
250+ 2.96 EUR
500+ 2.94 EUR
1000+ 2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN2435N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 7081 Stücke:
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7+4 EUR
25+ 3.31 EUR
100+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2435N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.365A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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61+2.58 EUR
62+ 2.44 EUR
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100+ 1.69 EUR
250+ 1.6 EUR
500+ 1.5 EUR
1000+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 61
TN2435N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 365mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2460VISHAY
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TN2460L
Produktcode: 144793		Transistoren > MOSFET N-CH
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TN2460LSI
auf Bestellung 4500 Stücke:
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TN2460LG
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TN2460T(Transistor)
Produktcode: 53988		Transistoren > MOSFET N-CH
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TN2460T
auf Bestellung 6000 Stücke:
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TN2460T-T1VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2460T-T1 (Mikroschaltungen vers.)
Produktcode: 40957		Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
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TN2460T-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
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TN2460T-T1/T03
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2460T-T2
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2460T-T2/T2SILICONIX
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2469TK-09
auf Bestellung 150 Stücke:
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TN2469TK-09E
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN248ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-48V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
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TN248V
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TN25/15/10FerroxcubeСердечник TN25/15/10-3E25 мю=5500 AL=5620±25%
auf Bestellung 1440 Stücke:
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1+4.25 EUR
10+ 3.6 EUR
TN25/15/10-3E25FERROXCUBEDescription: FERROXCUBE - TN25/15/10-3E25 - Transformatorkerne, Ring, Ring, 3E25, 60.2 mm, 48.9 mm²
Kernmaterialgüte: 3E25
Effektive magnetische Weglänge: 60.2
Ferritkerngröße: -
Induktivitätsfaktor AL: 5.62
Effektiver Querschnitt Ae: 48.9
Kern: Ring
Zur Verwendung mit: -
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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TN25/15/10-3F3FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 14mm; Øout: 25.8mm; Core mat: 3F3; 1840nH
Internal diameter: 14mm
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Core material: 3F3
Effective core volume (Ve): 2944mm3
Design: plastic sheath
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 1840nH
Effective core cross-section (Ae): 48.9mm2
Height: 10.6mm
Outside diameter: 25.8mm
Type of ferrite: toroidal
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.23 EUR
23+ 3.2 EUR
55+ 1.32 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN25/15/10-3F3FerroxcubeСердечник TN25/15/10-3F3 мю=1800 AL=1840±25%
auf Bestellung 2169 Stücke:
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1+3.35 EUR
10+ 3.16 EUR
TN25/15/10-3F3FERROXCUBECategory: Ring ferrites
Description: Ferrite: toroidal; Øint: 14mm; Øout: 25.8mm; Core mat: 3F3; 1840nH
Internal diameter: 14mm
Ferrite application: impulse transformers; RFI filters; wideband transformers
Core material: 3F3
Effective core volume (Ve): 2944mm3
Design: plastic sheath
Ferrite features: rounded edges
Inductance factor Al: 1840nH
Effective core cross-section (Ae): 48.9mm2
Height: 10.6mm
Outside diameter: 25.8mm
Type of ferrite: toroidal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 151 Stücke:
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17+4.23 EUR
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55+ 1.32 EUR
58+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2501N8
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TN2501N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 18V 2.5Ohm
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13+4.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 13
TN2501N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
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TN2501N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2501N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 18V; 0.25A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 18V
Pulsed drain current: 0.25A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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TN2504N8
auf Bestellung 2000 Stücke:
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TN2504N8Microchip TechnologyMOSFET 40V 1Ohm
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TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
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79+1.98 EUR
80+ 1.89 EUR
96+ 1.52 EUR
106+ 1.32 EUR
250+ 1.25 EUR
500+ 1.19 EUR
1000+ 1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 79
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1700 Stücke:
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80+1.96 EUR
96+ 1.58 EUR
106+ 1.37 EUR
250+ 1.31 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 80
TN2504N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2504N8-GMicrochip Technology / AtmelMOSFET 40V 1Ohm
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
15+3.61 EUR
25+ 3.02 EUR
100+ 2.73 EUR
4000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 15
TN2504N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 890mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V
auf Bestellung 13920 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.3 EUR
25+ 2.76 EUR
100+ 2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2504N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 40V 0.89A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2504N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 890mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 20 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2504N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2504N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 40V 1Ohm
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.33 EUR
25+ 2.78 EUR
100+ 2.54 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN251-S010
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2510
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2510N8Microchip TechnologyMOSFET 100V 1.5Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TN2510N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 100V 1.5Ohm
auf Bestellung 11082 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.28 EUR
25+ 2.73 EUR
100+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN2510N8-GMicrochipTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C; TN2510N8-G TTN2510n8
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2510N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 5786 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.25 EUR
25+ 2.71 EUR
100+ 2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2510N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
38+1.93 EUR
39+ 1.86 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2510N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 100V 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2510N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+1.93 EUR
39+ 1.86 EUR
50+ 1.46 EUR
53+ 1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 38
TN2510N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 730mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 5786 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2511ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 18V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1089.06 EUR
TN2520N8Supertex
auf Bestellung 14200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8Supertex
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8Supertex09+
auf Bestellung 30018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8Superchip09+
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8Microchip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
TN2524N8SUPERTEX03+
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8SIPEX10+ DO-214
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2524N8-G
Produktcode: 131242		IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
TN2524N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 94 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+1.82 EUR
87+ 1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 86
TN2524N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 240V 6Ohm
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
14+3.72 EUR
25+ 3.09 EUR
100+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 14
TN2524N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
8+3.69 EUR
25+ 3.07 EUR
100+ 2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2524N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+ 2.03 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
TN2524N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 240V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2524N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2524N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 1A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
33+2.23 EUR
36+ 2.03 EUR
45+ 1.6 EUR
48+ 1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 33
TN2529K6-G
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2529K6-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS
auf Bestellung 490 Stücke:
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TN2529K6-G M932Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN2535
auf Bestellung 1100 Stücke:
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TN2535SOP
auf Bestellung 250 Stücke:
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TN2535N8-G
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540
auf Bestellung 5088 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-1000
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-1000G
auf Bestellung 18900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-1000GTR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-12GSTMicroelectronicsSCRs 25 A 1200 V Standard SCR Thyristor in D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12GSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12GSTMicroelectronicsTN2540-12G SMD/THT thyristors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12GSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D²PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-12G-TR - Thyristor, 1.2 kV, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 314A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540-12G Series
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
5+5.98 EUR
10+ 4.96 EUR
100+ 3.95 EUR
500+ 3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 1.2KV 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2540-12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-12G-TR - Thyristor, 1.2 kV, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 80mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 314A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540-12G Series
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25 A 1200 V Standard SCR Thyristor in D2PAK
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.68 EUR
10+ 5.54 EUR
100+ 4.42 EUR
500+ 3.74 EUR
1000+ 2.89 EUR
5000+ 2.81 EUR
10000+ 2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 1.2kV; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 25A
Load current: 16A
Gate current: 40mA
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-12G-TRSTMicroelectronicsSCR 1200V 25A(RMS) 314A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-400G-TRSTMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-400G-TRSTM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-600
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-600G
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-600GSTMicroelectronicsThyristor SCR 600V 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600GSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsTN2540-600G-TR SMD/THT thyristors
auf Bestellung 708 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.18 EUR
24+ 3.02 EUR
25+ 2.86 EUR
Mindestbestellmenge: 18
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2540-600G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-600G-TR - Thyristor, 600 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-262, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 314
Zündstrom, max., Igt: 40
Zündspannung, max., Vgt: 1.3
Haltestrom Ih, max.: 50
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 16
Produktpalette: TN2540
Bauform - Thyristor: TO-262
Betriebstemperatur, max.: 125
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 25
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25 Amp 600 Volt
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+6.34 EUR
10+ 5.28 EUR
100+ 4.19 EUR
250+ 4.11 EUR
500+ 3.54 EUR
1000+ 2.99 EUR
2000+ 2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+2.1 EUR
2000+ 1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2540-600G-TRSTMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsSCR 600V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2540-600G-TRSTM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-600G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 600V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 600 V
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
6+4.42 EUR
10+ 3.67 EUR
100+ 2.92 EUR
500+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 6
TN2540-600GTR
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-800G
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Case: D2PAK
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
29+2.47 EUR
32+ 2.25 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 800V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
auf Bestellung 22893 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+ 5.61 EUR
100+ 4.54 EUR
500+ 4.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.54 EUR
39+ 3.9 EUR
40+ 3.68 EUR
100+ 2.98 EUR
250+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.54 EUR
39+ 3.9 EUR
40+ 3.68 EUR
100+ 2.98 EUR
250+ 2.47 EUR
Mindestbestellmenge: 35
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-800G-TRSTMTO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-800G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-800G-TR - Thyristor, 800 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsDescription: SCR 800V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 300A, 314A
Current - On State (It (AV)) (Max): 16 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 5 µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1000+3.45 EUR
2000+ 3.25 EUR
5000+ 3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-800G-TR
Produktcode: 172430		Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 40mA; D2PAK; SMD; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 300A
Case: D2PAK
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 40mA
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.47 EUR
32+ 2.25 EUR
44+ 1.63 EUR
47+ 1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 29
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+9.32 EUR
26+ 5.84 EUR
50+ 4.55 EUR
100+ 4.09 EUR
500+ 3.06 EUR
1000+ 2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 17
TN2540-800G-TRSTM07+ TO-263
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540-800G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - TN2540-800G-TR - Thyristor, 800 V, 40 mA, 16 A, 25 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 300A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchlassstrom, durchschnittlich: 16A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 25A
Zündspannung, max.: 1.3V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2540
Zündstrom, max.: 40mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Oberflächenmontage
Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCRs 25A SCRS
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
10+5.41 EUR
11+ 4.78 EUR
25+ 4.32 EUR
100+ 3.85 EUR
500+ 3.64 EUR
1000+ 3.33 EUR
2000+ 3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540-800G-TRSTMicroelectronicsSCR Diode 800V 25A(RMS) 314A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TN2540-800GTR
auf Bestellung 2410 Stücke:
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TN2540N3Microchip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
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TN2540N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 175 mA, 8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
auf Bestellung 2926 Stücke:
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16+3.25 EUR
25+ 2.7 EUR
100+ 2.54 EUR
250+ 2.47 EUR
1000+ 2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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TN2540N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
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TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TN2540N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
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TN2540N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2540N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2540N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN2540N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
16+3.3 EUR
25+ 3.15 EUR
100+ 3.07 EUR
1000+ 2.99 EUR
4000+ 2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 16
TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
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TN2540N3-G-P002Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.175A 3-Pin TO-92 T/R
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TN2540N3-G-P002MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: tape
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N3-G-P002MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 175mA; Idm: 2A; 1W; TO92
Kind of package: tape
Mounting: THT
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 175mA
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N3-P003-G
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540N3-P013-GMicrochip TechnologyMOSFET
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TN2540N5
auf Bestellung 14 Stücke:
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TN2540N8Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89
auf Bestellung 2338 Stücke:
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9+17.87 EUR
50+ 6.9 EUR
100+ 2.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TN2540N8SUPERTEX09+
auf Bestellung 9018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540N8Supertex
auf Bestellung 30200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2540N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 12Ohm
auf Bestellung 7279 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
13+4.03 EUR
25+ 3.33 EUR
100+ 3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN2540N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.8A
Case: SOT89
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 5576 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
7+4 EUR
25+ 3.31 EUR
100+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7
TN2540N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 400 V, 260 mA, 8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 260mA; Idm: 1.8A; 1.6W; SOT89
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.8A
Case: SOT89
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2540N8-L-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2540NBSupertex
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN25F110-24LAMBDA110V/24V/25W
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN25F110-5
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN25H-RID-5.0-3.0-3.0-1.25H2Трансфлюктор-2 x d=1,25mm (MHB2-5.0/3.0/3.0) Ui=250 NiZn
Produkt ist nicht verfügbar
TN25H-RID-5.0-3.0-3.0-1.25H2
Produktcode: 122552		Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Produkt ist nicht verfügbar
TN25ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, Single side stable, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN25V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2640
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2640K4
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2640K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2000+5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640K4-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYTN2640K4-G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 500MA TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
auf Bestellung 19475 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
4+7.02 EUR
25+ 5.86 EUR
100+ 5.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4
TN2640K4-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5 Ohm
auf Bestellung 4877 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
8+6.89 EUR
25+ 5.75 EUR
100+ 5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8
TN2640K4-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - TN2640K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TN2640 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TN2640K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640LGTI07+/08+ SOP8
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2640LG-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640LG-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640LG-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5Ohm
auf Bestellung 3295 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
9+5.85 EUR
25+ 4.91 EUR
100+ 4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 9
TN2640LG-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.26A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640LG-GMICROCHIP TECHNOLOGYTN2640LG-G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640LG-G
Produktcode: 144489		Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 400V 5Ohm
auf Bestellung 3194 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
12+4.65 EUR
25+ 3.9 EUR
100+ 3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
TN2640N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 220mA; Idm: 2A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 220mA; Idm: 2A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
TN2640N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
auf Bestellung 583 Stücke:
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6+4.68 EUR
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TN2640N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 400V 0.22A 3-Pin TO-92 Bag
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TN2640N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN2640N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN2640N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
auf Bestellung 2000 Stücke:
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TN2640N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN2640N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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TN28F001BX-B-120Intel5 VOLT BOOT BLOCK FLASH MEMORY
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TN28F001BX-B120INTEL09+
auf Bestellung 203 Stücke:
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TN28F001BX-B90INTEL09+
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TN28F001BX-T150
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TN28F001BX-T90
auf Bestellung 2080 Stücke:
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TN28F001BXB120INTEL
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TN28F001BXT150INTEL
auf Bestellung 1500 Stücke:
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TN28F001BXT90INTEL
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F010INT00+ PLCC32
auf Bestellung 56 Stücke:
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TN28F010-120Rochester Electronics, LLCDescription: IC MCU FLASH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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TN28F010-120
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F010-120-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-120-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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TN28F010-150
auf Bestellung 16025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F010-150-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-150-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 32-PLCC
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 128K x 8
auf Bestellung 4229 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+75.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TN28F010-200
auf Bestellung 23 Stücke:
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TN28F010-90
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F010-90-GRochester Electronics, LLCDescription: TN28F010-90-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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TN28F010120INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
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TN28F010150INTEL
auf Bestellung 3210 Stücke:
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TN28F020INTELPLCC32
auf Bestellung 93 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F020INTEL98+
auf Bestellung 324 Stücke:
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TN28F020-120INTEL09+
auf Bestellung 189 Stücke:
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TN28F020-150INTELPLCC 09+
auf Bestellung 6000 Stücke:
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TN28F020-150Rochester Electronics, LLCDescription: EEPROM
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 418 Stücke:
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13+58.67 EUR
Mindestbestellmenge: 13
TN28F020-150INTEL
auf Bestellung 2100 Stücke:
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TN28F020-150/-120
auf Bestellung 2623 Stücke:
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TN28F020-150JC
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F020-200
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN28F020-90Rochester Electronics, LLCDescription: FLASH, 256KX8, 90NS, PQCC32
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 32-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 32-PLCC
Write Cycle Time - Word, Page: 90ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 90 ns
Memory Organization: 256K x 8
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10+72.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
TN28F020-90INTEL09+
auf Bestellung 317 Stücke:
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TN28F020120INTEL
auf Bestellung 1500 Stücke:
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TN28F020150INTEL
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TN28F02090INTEL
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TN28F512
auf Bestellung 2000 Stücke:
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TN28F512-120INTEL09+
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TN28F512-120INTELPLCC32
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TN28F512-150INTEL09+
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TN28F512-150INTELPLCC32
auf Bestellung 92 Stücke:
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TN28F512-200INTELPLCC32
auf Bestellung 98 Stücke:
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TN28F512-200PIC4INTELPLCC32
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TN28F512120INTEL
auf Bestellung 1789 Stücke:
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TN29/19/7.5-3E25FERROXCUBETN29/19-3E25 Ring ferrites
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TN2905
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2907AON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 3-Pin TO-226 Bulk
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TN2907A
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2907Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
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TN2907AFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 0.8A TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 10071 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1025+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1025
TN2907A-D26ZON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-226 T/R
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TN2907A_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.8A TO226
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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TN2907A_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Dbl-Dif SI Exptl Plnr
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TN2ACinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: CONN ADAPT PLUG-JCK TRB TWIN/TRI
Packaging: Bulk
Features: Three Lug
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Style: U-Shape
Convert From (Adapter End): TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric ) Plug, Male Pin
Convert To (Adapter End): TRB Twinaxial/Triaxial (Concentric) Jack, Female Socket (2)
Fastening Type: Bayonet Lock, Bayonet Lock
Adapter Series: TRB Twinaxial/Triaxial to TRB Twinaxial/Triaxial, Dual
Adapter Type: Plug to Jack
Center Gender: Female to Male
Conversion Type: Same Series
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+366.76 EUR
10+ 349.28 EUR
TN2ATrompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee TRB Fixed Parrallel One Male to Two JKs
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
TN2DC5V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2E-4.5V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2E-4.5V-H13
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2E-L2H-12VDC
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TN2L12ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
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TN2L212ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-12V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
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TN2L224ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-24V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN2L23ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
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TN2L24ULCSAJPanasonic Electric WorksElectromechanical Relay 4.5VDC 101.2Ohm 1A DPDT (14x5.6x9.8)mm THT General Purpose Relay
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TN2L25ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L2-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, 2 coil latching, PC board
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TN2L3ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-3V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
Produkt ist nicht verfügbar
TN2L5ULCSAJPanasonic Electric WorksPEW Cat. ID: TN2-L-5V / Signal-Relay, 2-Form-C, 1 coil latching, PC board
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TN2R2K2ABK-0613PLelonAluminum Electrolytic Capacitors - Axial Leaded 100V 2.2uF 10% 6.3x13mm
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TN2TATrompeter / Cinch Connectivity SolutionsRF Adapters - Tee Cinch Connector
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