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Verfügbarkeit |
Preis |
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FDH047AN08A0 | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDH047AN08A0 - MOSFET'S - SINGLESVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NVBG040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04 Rds(on)-Prüfspannung: 20 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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NVBG040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK) Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SURS8360BT3G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: - Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FOD260L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s) tariffCode: 85414900 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate: 10Mbps usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FOD060L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s) Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 8 Isolationsspannung: 3.75 Bauform - Optokoppler: SOIC Übertragungsrate: 10 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2777 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FOD2741ATV | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz tariffCode: 85423390 productTraceability: No Anzahl der Kanäle: 1 Kanal rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 8Pin(s) CTR, min.: 100% Isolationsspannung: 5kV euEccn: NLR hazardous: false Bauform - Optokoppler: DIP rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Bandbreite: 50kHz Produktpalette: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NCP1587ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8 Schaltfrequenz: 200 Bauform - Controller-IC: SOIC Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang MSL: MSL 1 - unbegrenzt Tastverhältnis (%): 75 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Topologie: Synchroner Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 13.2 Betriebstemperatur, max.: 70 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP1587ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCP431BISNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCP431BVSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 36V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: 50ppm/C Eingangsspannung, max.: 36V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS5670 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDS5672 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 44639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDN339AN | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 44639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDH3595 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1 Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FCP067N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP099N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP150N65F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 298 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 298 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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CPH5517-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA Durchbruchspannung Vbr: -25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH6904-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH3116-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 420MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CPH3116-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 420MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 5407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH5517-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 900mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 900mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH3105-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 900 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 360 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH3105-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 900 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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CPH6341-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FFSB20120A-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 120 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FFSB1065B-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 25nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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FDD8445 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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CAT102TDI-GT3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 606mV IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23 Referenzspannung, min.: 594mV MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 18V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CAT102 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 6mV SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FCP104N60F | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 37 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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UF3C065040T3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCS20081SQ2T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES2C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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ES2C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 20ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES2C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| LV88564JAGEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR tariffCode: 84733020 Prozessorkern: LV88564JA Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: On Semiconductor Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA euEccn: NLR Unterart Anwendung: BLDC-Motor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BAT54CTT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-75 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 320mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 10902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NCV7351D13R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr IC-Schnittstelle: CAN Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Anzahl der RX-Puffer: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der TX-Puffer: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NCV7351D1ER2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC MSL: MSL 2 - 1 Jahr IC-Schnittstelle: CAN Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 4.5 Anzahl der RX-Puffer: 1 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl der TX-Puffer: 1 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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NCV7351D1ER2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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NCV7351D13R2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
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FFSH40120ADN-F155 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC TO247 SBD 40A 1200V / TUBE 48AC1064 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 120 Diodenmontage: Through Hole Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode Qualifikation: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Pin Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: To Be Advised |
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NBRS2H100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 130 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NBRS2H100T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NBRS2H100T3G-VF01 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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BAS116TT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NIS5112D1R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Elektronische Sicherung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 IC-Bauform: SOIC Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NIS5112D2R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Elektronische Sicherung rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Leistungsschalter: MOSFET SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NIS5112D2R2G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Elektronische Sicherung rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 9V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Leistungsschalter: MOSFET SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3771G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5 DC-Stromverstärkung hFE: 5 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDA20N50-F109 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FS6377-01G-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Bauform - Takt-IC: SOIC Frequenz: 150 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Takt-IC: PLL-Taktgeber Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Ausgänge: 4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FS7140-02G-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Bauform - Takt-IC: SSOP Frequenz: 300 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Takt-IC: PLL-Taktgeber Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FS6377-01IG-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Bauform - Takt-IC: SOIC Frequenz: 150 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 3 Takt-IC: PLL-Taktgeber Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FS7140-01G-XTP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C MSL: MSL 2 - 1 Jahr PLL-Typ: Takterzeugung Frequenz: 340 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 Bauform - PLL: SOIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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| FS7140-01G-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C PLL-Typ: Takterzeugung Frequenz: 35 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 Bauform - PLL: SOIC SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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FS6370-01G-XTD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Bauform - Takt-IC: SOIC Frequenz: 27 Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 3 Takt-IC: Taktgeber Anzahl der Pins: 16 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Betriebstemperatur, max.: 70 Anzahl der Ausgänge: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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BAW56LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 6ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAW56 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 72494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NVBG040N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NVBG040N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SURS8360BT3G. |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - SURS8360BT3G. - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 3 A, 1.25 V, 75 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: -
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FOD260L |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FOD260L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 5 kV, 10 Mbps, DIP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate: 10Mbps
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FOD060L |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD060L - Optokoppler, Digitalausgang, 1 Kanal, 3.75 kV, 10 Mbps, SOIC, 8 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 8
Isolationsspannung: 3.75
Bauform - Optokoppler: SOIC
Übertragungsrate: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FOD2741ATV |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FOD2741ATV - Optokoppler, optisch isolierte Verstärker, 1 Kanal, DIP, 8 Pin(s), 5 kV, 100 %, 50 kHz
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
CTR, min.: 100%
Isolationsspannung: 5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: DIP
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bandbreite: 50kHz
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1587ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 200
Bauform - Controller-IC: SOIC
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Tastverhältnis (%): 75
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Betriebstemperatur, max.: 70
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP1587ADR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCP1587ADR2G - DC/DC-Regler, Buck / Abwärts, 4.5V bis 13.2V Versorgungsspannung, 75% Tastverhältnis, 200kHz, SOIC-8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCP431BISNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP431BISNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCP431BVSNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCP431BVSNT1G - Spannungsreferenz, Shunt - einstellbar, 2.5V bis 36V Referenzspannung, 50ppm/°C, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDS5670 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS5670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDS5672 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDS5672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.0088 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0088ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDN339AN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 44639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDN339AN |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 44639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDH3595 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDH3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FCP067N65S3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCP067N65S3 - Leistungs-MOSFET, SuperFET III, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCP099N65S3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FCP099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCP150N65F |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCP150N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.133 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 298
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 298
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.133
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.133
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| CPH5517-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NSVJ6904DSB6T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3506 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH6904-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH6904-TL-E - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.2 V, SC-74, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH3116-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH3116-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH3116-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 420MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH5517-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CPH5517-TL-E - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 1 A, 1 A, 900 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 420MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 900mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A
Übergangsfrequenz, PNP: 420MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 900mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH3105-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH3105-TL-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - CPH3105-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 900 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Verlustleistung: 900
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CPH6341-TL-W |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - CPH6341-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.045 ohm, CPH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFSB20120A-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FFSB20120A-F085 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 120 nC, TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 120
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FFSB1065B-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FFSB1065B-F085 - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Einfach, 650 V, 10 A, 25 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FDD8445 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDD8445 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 15.2 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| CAT102TDI-GT3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - CAT102TDI-GT3 - Shunt-Regler - einstellbar, 2.2V bis 18V, ± 6mV Anfangsgenauigkeit, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 606mV
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Referenzspannung, min.: 594mV
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CAT102
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 6mV
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| FCP104N60F |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FCP104N60F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.091 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UF3C065040T3S |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ONSEMI - UF3C065040T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCS20081SQ2T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCS20081SQ2T2G - Operationsverstärker, RRIO, 1 Verstärker, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES2C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| ES2C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ES2C - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 150 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 20 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 20ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: ES2C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| LV88564JAGEVB |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88564JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - LV88564JAGEVB - EVALUATIONSBOARD, 1-PHASEN-BLDC-MOTOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: LV88564JA
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LV88564JA
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: BLDC-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BAT54CTT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAT54CTT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-75
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 320mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NCV7351D13R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV7351D1ER2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
IC-Schnittstelle: CAN
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Anzahl der RX-Puffer: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der TX-Puffer: 1
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV7351D1ER2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCV7351D1ER2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NCV7351D13R2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Description: ONSEMI - NCV7351D13R2G - CAN-Bus, Transceiver, CAN, 1, 1, 4.5 V, 5.5 V, SOIC
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FFSH40120ADN-F155 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC TO247 SBD 40A 1200V / TUBE 48AC1064
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120
Diodenmontage: Through Hole
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Description: ONSEMI - FFSH40120ADN-F155 - SIC TO247 SBD 40A 1200V / TUBE 48AC1064
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 120
Diodenmontage: Through Hole
Diodenkonfiguration: Dual Common Cathode
Qualifikation: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pin
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NBRS2H100T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 130
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NBRS2H100T3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 790 mV
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NBRS2H100T3G-VF01 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NBRS2H100T3G-VF01 - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAS116TT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BAS116TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 75 V, 200 mA, 1.25 V, 3 µs, 500 mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| NIS5112D1R2G. |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NIS5112D1R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NIS5112D2R2G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NIS5112D2R2G. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NIS5112D2R2G. - Elektronische Sicherung, High-Side-n-Kanal-FET, 9V bis 18V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Elektronische Sicherung
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Leistungsschalter: MOSFET
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| 2N3771G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5
DC-Stromverstärkung hFE: 5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FDA20N50-F109 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ONSEMI - FDA20N50-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS6377-01G-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FS6377-01G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS7140-02G-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FS7140-02G-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 300MHz, 3V-3.6V Versorgungsspannung, 1 Ausgang, SSOP-16
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Bauform - Takt-IC: SSOP
Frequenz: 300
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS6377-01IG-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FS6377-01IG-XTD - PLL-Taktgenerator, I2C, 150MHz, 3V-5.5V Versorgungsspannung, 4 Ausgänge, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 150
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: PLL-Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Stück im Wert von UAH
| FS7140-01G-XTP |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTP - Phasenregelschleife, Takterzeugung, 340MHz, 3V bis 3.6V, SOIC-16, 0°C bis 70°C
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 340
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS7140-01G-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: ONSEMI - FS7140-01G-XTD - PLL, TAKTERZEUGUNG, 0 BIS 70°C
PLL-Typ: Takterzeugung
Frequenz: 35
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Bauform - PLL: SOIC
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| FS6370-01G-XTD |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - FS6370-01G-XTD - Taktgenerator, 3 EEPROM-programmierbare PLL, I2C, 5MHz-27MHz, 3.3V-5V Versorgungsspannung, SOIC-16
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 27
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Takt-IC: Taktgeber
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Ausgänge: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BAW56LT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - BAW56LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAW56
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 72494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH