Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I25D025NR1 NXP
Hersteller: NXP
RF Power LDMOS Transistor 2100-2900 MHz 3,2 W, Vs=28 V A2I25D025NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
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Technische Details Мікросхема ВЧ/НВЧ A2I25D025NR1 NXP NXP
RF Power LDMOS Transistor 2100-2900 MHz 3,2 W, Vs=28 V
A2I25D025NR1.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ.