Produkte > NXP > Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP
Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP

Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP


Hersteller: NXP
ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details Мікросхема ВЧ/НВЧ BGA5H1BN6E6327XTSA1 NXP NXP

ІМС 6-XFDFN RF High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highband 2,3-2,69 GHz,Gain=18,1 dB Nf=0,7 dB, Vs=1,5-3,6 V Мікросхеми РЧ/ВЧ.