Produkte > RFMD > Мікросхема ВЧ/НВЧ SXA-3318BZ RFMD
Мікросхема ВЧ/НВЧ SXA-3318BZ RFMD

Мікросхема ВЧ/НВЧ SXA-3318BZ RFMD


Hersteller: RFMD
Balanced 1/2 W Medium Power GaAs HBT Amplifier 400-2500 MHz, Gss=12,8 dB, P1dB=28,0 dBm, Nf=5,1 dB, OIP3=47,0 dBm @ 1960 MHz, Id=180-280 mA, Vdmax=6 V SXA-3318BZ.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details Мікросхема ВЧ/НВЧ SXA-3318BZ RFMD RFMD

Balanced 1/2 W Medium Power GaAs HBT Amplifier 400-2500 MHz, Gss=12,8 dB, P1dB=28,0 dBm, Nf=5,1 dB, OIP3=47,0 dBm @ 1960 MHz, Id=180-280 mA, Vdmax=6 V SXA-3318BZ.pdf Мікросхеми РЧ/ВЧ.