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Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon

Hersteller: Infineon
Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні

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Technische Details Транзистор біполярний BCR505E6327 Infineon Infineon

Транзистор NPN SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW Транзистори біполярні.