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Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon

Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon


Hersteller: Infineon
PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні
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Technische Details Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon Infineon

PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні.