Produkte > INFINEON > Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon
Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon

Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon


Hersteller: Infineon
PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details Транзистор біполярний BCR555E6327 Infineon Infineon

PNP SOT23 Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 kOhm R2= 10 kOhm), Vce=50V, Ic=500mA, hfemin=70, Ptot=330 mW   BCR555E6327.pdf Транзистори біполярні.