Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK057WG Fujitsu
Hersteller: Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32% FLK057WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ FLK057WG Fujitsu Fujitsu
Транз. Пол. НВЧ GaAs FET; Ku band; WG; @(14.5 GHz, 10V, 120 mA): P-1dB=27.0 dBm, G-1dB=7.0 dB, IP3=, Nf=; Idss=200..300 mA; PAE=32%
FLK057WG.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.

