Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PD57030-E STM
Hersteller: STM
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz PD57030-E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ
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Technische Details Транзистор польовий ВЧ/НВЧ PD57030-E STM STM
RF power FET 30 W Fup=1 GHz, Gain=13 dB @ 945 MHz
PD57030-E.pdf Транзистори польові ВЧ/НВЧ.