Транзистор польовий IRFG5110 IR
Hersteller: IR
Транз. Пол. ВП N&P-HEXFET DIP14 Udss=(100; -100)V; Id=(1; -1)A; Pdmax=2,5W; P1=1,4W; Rds=0,7 Ohm; Pdmax=1,4W Транзистори польові
Produkt ist nicht verfügbar
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details Транзистор польовий IRFG5110 IR IR
Транз. Пол. ВП N&P-HEXFET DIP14 Udss=(100; -100)V; Id=(1; -1)A; Pdmax=2,5W; P1=1,4W; Rds=0,7 Ohm; Pdmax=1,4W
Транзистори польові.

