Technische Details -30 В -4.9 А (SO-8) International Rectifier
Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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30 В 4.9 А (SO-8) | International Rectifier |
 Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори |
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| 30 В 4.9 А (SO-8) |
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Hersteller: International Rectifier
Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с N-CH и низким сопротивл. с-и 0,05 Ом U=-30 В I=4,9 А SOIC8 Транзистори
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