03N06L Goford Semiconductor
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<100M@10V,RD(MAX)<12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 30 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.77 EUR |
| 45+ | 0.48 EUR |
| 62+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.23 EUR |
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Technische Details 03N06L Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23, Technology: Trench, Drain current: 3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Case: SOT23, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.7W, Gate charge: 15nC, Polarisation: unipolar.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 03N06L | GOFORD Semiconductor |
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 03N06L |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
N-CH 60V 3A 100mOhm/MAX at 10V, 120mOhm/MAX at 4.5V, SOT-23-3L
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.09 EUR |