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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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100N03A | UMW |
 Description: TO-252 MOSFETS ROHSPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 100N03A |
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Hersteller: UMW
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
Description: TO-252 MOSFETS ROHS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1963 pF @ 15 V
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| 11+ | 1.99 EUR |
| 17+ | 1.25 EUR |
| 50+ | 0.92 EUR |
| 100+ | 0.82 EUR |
| 500+ | 0.63 EUR |
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| 68uF 450V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR680M2WB-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz) Produktcode: 154014
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68 µF
Nennspannung: 450 В
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 68 µF
Nennspannung: 450 В
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x36 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 400 St.
- 400 St. - erwartet 11.09.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| MKT 10nF 100V J(+/-5%), P=5mm; 7,2x6,5x2,5mm (CL71-103/100V/J-LDC) (Folienkondensator) Produktcode: 124915
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|
Hersteller: LDC
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 10 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±5% J
Anschlussraster und Abmessungen: 5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 7,2x6,5x2,5 mm
Part Nummer: CL71-103/100V/J
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Kapazität: 10 nF
Nennspannung, V: 100 VDC
Präzision: ±5% J
Anschlussraster und Abmessungen: 5 mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Gehäusegröße: 7,2x6,5x2,5 mm
Part Nummer: CL71-103/100V/J
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| 1+ | 0.12 EUR |
| 10+ | 0.1 EUR |
| 100+ | 0.086 EUR |