Technische Details 15C01C-TB-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 15C01C-TB-E nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
15C01C-TB-E | onsemi |
 Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CPPower - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: 3-CP Frequency - Transition: 330MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk |
auf Bestellung 110900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
15C01C-TB-E | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V |
auf Bestellung 514 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
| 15C01C-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 110900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| 15C01C-TB-E |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Frequency - Transition: 330MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3CP
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: 3-CP
Frequency - Transition: 330MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 110900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4948+ | 0.12 EUR |
| 15C01C-TB-E |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.7A 15V
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| 100+ | 0.37 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.15 EUR |
| 9000+ | 0.13 EUR |
| 24000+ | 0.12 EUR |
| 15C01C-TB-E |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 15C01C-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 300 mW, TO-236AB (SOT-23)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TO-236AB (SOT-23)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 110900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.15 EUR |