18N20F Goford Semiconductor
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Technische Details 18N20F Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 35W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Planar, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 18A, Power dissipation: 35W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| 18N20F | GOFORD Semiconductor |
 N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 18N20F |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
N-CH,200V,18A,RD(max) Less Than 0.19Ohm at 10V,VTH 1.0V to 3.0V, TO-220F
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