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1N1190A

1N1190A GeneSiC Semiconductor

1n1183a.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 40A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
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Technische Details 1N1190A GeneSiC Semiconductor

Description: SOLID STATE - 1N1190A - STANDARD DIODE, 40A, 600V, DO-5, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-5, Durchlassstoßstrom: 800A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.19V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Konfiguration Diodenmodul: Single, Betriebstemperatur, max.: 200°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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1N1190A 1N1190A Hersteller : SOLID STATE 10P3916.pdf Description: SOLID STATE - 1N1190A - STANDARD DIODE, 40A, 600V, DO-5
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-5
Durchlassstoßstrom: 800A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.19V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Single
Betriebstemperatur, max.: 200°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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1N1190A Hersteller : GeneSiC Semiconductor 1n1184a.pdf Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5
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1N1190A 1N1190A Hersteller : Microchip Technology coe-18.pdf Rectifier Diode Switching 600V 40A 2-Pin DO-5 Tray
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