1N3879R GeneSiC Semiconductor
Hersteller: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 17.73 EUR |
| 10+ | 14.48 EUR |
| 25+ | 13.36 EUR |
| 100+ | 11.82 EUR |
| 250+ | 10.9 EUR |
| 500+ | 10.26 EUR |
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Technische Details 1N3879R GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V.
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