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1N3891

1N3891 GeneSiC Semiconductor

1n3891-2452744.pdf Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A Fast Recovery
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Technische Details 1N3891 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.

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1N3891 1N3891 Hersteller : GeneSiC Semiconductor 1n3889.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
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