1N4006

1N4006

Hersteller: KINGTRONIC
1A; 800V; packaging: ammo; diode 1N4006 DO-41 Kt DP 1N4006 Kt
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

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Technische Details 1N4006

Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-41, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A.

Preis 1N4006 ab 0.014 EUR bis 1.27 EUR

1N4006
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 1N4006-DIO THT universal diodes
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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5000+ 0.016 EUR
15000+ 0.014 EUR
1N4006
Hersteller: DACO Semiconductor
Material: 1N4006-DCO THT universal diodes
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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3817+ 0.019 EUR
5000+ 0.017 EUR
1N4006
1N4006
Hersteller: Diotec Semiconductor
Rectifiers Diode, DO-41, 800V, 1A
1n4001-2577232.pdf
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500+ 0.4 EUR
1N4006
Hersteller: DACO Semiconductor
Material: 1N4006-DCO THT universal diodes
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
40615 Stücke
1N4006+
1N4006+
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 1N4006+ - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1 V, 30 A
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N4000
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
2863952.pdf
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1N4006
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: 1N4006-YAN THT universal diodes
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 1N4006 - DIODE, STANDARD RECOVERY, 1A, 800V, DO-204AL-2
Bauform - Diode: DO-204AL
Durchlassstoßstrom: 40
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
2895474.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Standard 800V 1A Through Hole
842_nods.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
1n4001-d.pdf
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1N4006
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 1N4006-DIO THT universal diodes
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5530 Stücke
1N4006
1N4006
Hersteller: Diotec Semiconductor
Diode Standard 800V 1A Through Hole
842_nods.pdf
2687 Stücke
1N4006
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: 1N4006-YAN THT universal diodes
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: onsemi
Rectifiers 800V 1A Standard
1N4001_D-1801424.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers Vr/800V Io/1A T/R
1N4001 SERIES_H14-523306.pdf
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1N4006
Hersteller: EIC
Rectifier Diode Switching Si 800V 1A 2000ns 2-Pin DO-41
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
Hersteller: Diotec Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
Hersteller: Good-Ark
Rectifier Diode Switching 800V 1A 1000ns 2-Pin DO-41
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
Hersteller: Diotec
1.0A 800V DO-41=DO-204AL
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifiers 800V 1A Standard
1N4001_D-2309631.pdf
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1N4006
Hersteller: Diotec Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 1500ns 2-Pin DO-41 Ammo
1N4001~1N4007(DO-41).pdf 1n4001-d.pdf 1N4001_07.pdf 1n4001.pdf 1n4001-1n4007.pdf 1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: Rectron USA
Description: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO-41
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
1n4001-1n4007.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
1N4001-1N4007%20N0543%20REV.A.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
1N4001~1N4007(DO-41).pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: DComponents
Description: ST Rect, 800V, 1A
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-41/DO-204AC
Current - Average Rectified (Io): 1A
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AC, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
1n4001.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Mounting Type: Through Hole
1N4001~1N4007(DO-41).pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: R-SI 800V 1A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bag
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
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auf Bestellung 1037 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4006
1N4006
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
1n4001-d.pdf
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1N4006
1N4006
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
1n4001-d.pdf
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