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1N4006G

1N4006G Taiwan Semiconductor Corporation

1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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Technische Details 1N4006G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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1N4006G 1N4006G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006G 1N4006G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 1000pcs.
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179+0.4 EUR
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439+ 0.16 EUR
1197+ 0.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 179
1N4006G 1N4006G Hersteller : ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; bulk; Ifsm: 30A; CASE59; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: bulk
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Max. forward voltage: 1.1V
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1263+ 0.057 EUR
4000+ 0.056 EUR
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1N4006G 1N4006G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006G 1N4006G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006-G 1N4006-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G_Thru._1N4007-G_RevB-1878640.pdf Rectifiers VR=800V, IO=1A
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1N4006G 1N4006G Hersteller : onsemi 1n4001-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
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1N4006G 1N4006G Hersteller : onsemi 1N4001_D-2309631.pdf Rectifiers 800V 1A Standard
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1N4006G 1N4006G Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N4006G 1N4006G Hersteller : ONSEMI 1689669.pdf Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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1N4006G 1N4006G Hersteller : ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006-G 1N4006-G Hersteller : Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N4006G 1N4006G Hersteller : Taiwan Semiconductor 1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Rectifiers 1A, 800V, Standard Recovery Rectifier
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1N4006G 1N4006G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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1N4006G 1N4006G Hersteller : SMC Diode Solutions 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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1N4006G 1N4006G Hersteller : EIC Semiconductor 1n4001g_7g.pdf Diode 800V 1A 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
1N4006G 1N4006G Hersteller : Good-Ark 141n400xg.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 1000ns 2-Pin DO-41
Produkt ist nicht verfügbar
1N4006G 1N4006G Hersteller : Good-Ark 141n400xg.pdf Rectifier Diode Switching 800V 1A 1000ns 2-Pin DO-41
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1N4006-G 1N4006-G Hersteller : Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Rectifier Diode 800V 1A 2-Pin DO-41
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1N4006G 1N4006G Hersteller : YANGJIE TECHNOLOGY 1N4001G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; tape; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
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