1N4006G

1N4006-G

1N4006-G

Hersteller: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Box (TB)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A

1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf
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Technische Details 1N4006-G

Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL, Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41), Current - Average Rectified (Io): 1A.

Preis 1N4006-G ab 0.045 EUR bis 0.78 EUR

1N4006G
Hersteller: ONSEMI
Material: 1N4006G THT universal diodes
1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1n4001g-1n4007g.pdf 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
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1425+ 0.05 EUR
5000+ 0.045 EUR
1N4006-G
1N4006-G
Hersteller: Comchip Technology
Rectifiers VR=800V, IO=1A
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: onsemi
Rectifiers 800V 1A Standard
1N4001_D-2309631.pdf
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152+ 0.34 EUR
500+ 0.23 EUR
1N4006G
1N4006G
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
1689669.pdf
10248 Stücke
1N4006G
Hersteller: ONSEMI
Material: 1N4006G THT universal diodes
1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1n4001g-1n4007g.pdf 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
530 Stücke
1N4006G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: 1N4006G-YAN THT universal diodes
1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1n4001g-1n4007g.pdf 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
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1N4006G
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Material: 1N4006G-YAN THT universal diodes
1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1n4001g-1n4007g.pdf 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
1N4001G_SERIES_P2104-2821229.pdf
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifiers 800V 1A Standard
1N4001_D-2309631.pdf
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1N4006G
Hersteller: ON Semiconductor
Rectifier Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
1n4001-d.pdf 1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf 1n4001g-1n4007g.pdf 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
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1N4006-G
Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Diode 800V 1A 2-Pin DO-41
1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Current - Average Rectified (Io): 1A
1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Part Status: Active
Current - Average Rectified (Io): 1A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800V
Diode Type: Standard
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 800V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Current - Average Rectified (Io): 1A
1N4001G-1N4007G%20N0544%20REV.A.pdf
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1N4006G
1N4006G
Hersteller: Rectron USA
Description: DIODE GP GLASS 800V 1A DO-41
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 800 V
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
1n4001g-1n4007g.pdf
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