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1N4006G

1N4006G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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Technische Details 1N4006G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL), Durchlassstoßstrom: 30A, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 800V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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1N4006-G 1N4006-G Comchip Technology 1041n400120thru.201n400720reva.pdf Diode 800V 1A 2-Pin DO-41 Ammo
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1N4006-G 1N4006-G Comchip Technology 1N4001-G%20Thru.%201N4007-G%20RevB.pdf Rectifiers VR=800V, IO=1A
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1N4006G 1N4006G onsemi 1N4001-D.PDF Rectifiers 800V 1A Standard
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1N4006G 1N4006G onsemi 1N4001-D.PDF Description: DIODE STANDARD 800V 1A AXIAL
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1N4006G 1N4006G ONSEMI 1N4001-D.PDF Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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1N4006G 1N4006G ON Semiconductor 1n4001-d.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-41 Bag
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1N4006G 1N4006G ONSEMI 1N4001-D.PDF Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; bulk; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 1000pcs.
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4006G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
euEccn: NLR
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
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Hersteller: ONSEMI
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; CASE59; bulk; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 30A
Case: CASE59
Kind of package: bulk
Max. forward voltage: 1.1V
Manufacturer standard package: 1000pcs.
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