1N4007G-T

1N4007G-T

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Material: 1N4007G-T THT universal diodes
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Technische Details 1N4007G-T

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Supplier Device Package: DO-41, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Diode Type: Standard, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

Preis 1N4007G-T ab 0.034 EUR bis 0.73 EUR

1N4007G-T
1N4007G-T
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-41
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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1N4007G-T
1N4007G-T
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Cut Tape (CT)
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1N4007G-T
Hersteller: Diodes Inc
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin DO-41 T/R
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Material: 1N4007G-T THT universal diodes
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1N4007G-T
1N4007G-T
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N4007G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 2
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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1N4007G-T
1N4007G-T
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 1N4007G-T - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassspannung Vf max.: 1
Diodenkonfiguration: Einfach
Sperrerholzeit Trr, max.: 2
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 1
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
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Hersteller: Diodes Zetex
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin DO-41 T/R
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Hersteller: Rectron
Rectifiers DO-41 1A 1000V GP
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Hersteller: Diodes Zetex
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2000ns 2-Pin DO-41 T/R
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1N4007G-T
Hersteller: Diodes Incorporated
Rectifiers 1.0A 1000V
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1N4007G-T
1N4007G-T
Hersteller: Rectron USA
Description: DIODE GEN PURP GLASS 1000V 1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 1000 V
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