1N5417E3

1N5417E3 Microchip Technology


lds-0231.pdf Hersteller: Microchip Technology
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag
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Technische Details 1N5417E3 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A.

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1N5417E3 1N5417E3 Hersteller : Microchip Technology lds-0231.pdf Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case E Bag
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1N5417E3 1N5417E3 Hersteller : Microchip Technology lds-0231.pdf Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin Case E Bag
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1N5417E3 1N5417E3 Hersteller : Microchip Technology Description: DIODE GEN PURP 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
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