1N5647A Microchip Technology
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Technische Details 1N5647A Microchip Technology
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Max. off-state voltage: 33.3V, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 28A, Semiconductor structure: unidirectional, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Mounting: THT, Leakage current: 5µA, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
Weitere Produktangebote 1N5647A
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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1N5647A | Hersteller : Microchip / Microsemi |
 ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS |
auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| 1N5647A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13 |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 1N5647A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 33.3V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO13 Mounting: THT Leakage current: 5µA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5647A | Hersteller : MICROSEMI |
DO13/1500W UNIDIRECTINAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 1N5647 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| 1N5647A | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 33.3V Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Tolerance: ±5% Case: DO13 Mounting: THT Leakage current: 5µA |
Produkt ist nicht verfügbar |