
1N5647A Microchip Technology
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Technische Details 1N5647A Microchip Technology
Category: Unidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13, Mounting: THT, Type of diode: TVS, Leakage current: 5µA, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 28A, Semiconductor structure: unidirectional, Max. off-state voltage: 33.3V, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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1N5647A | Hersteller : Microchip / Microsemi |
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auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5647A | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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1N5647A | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5647A | Hersteller : MICROSEMI |
![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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1N5647A | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW |
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