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1N5647A Microchip Technology

Hersteller: Microchip Technology
TVS Diode Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW 2-Pin DO-13 Bag

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Technische Details 1N5647A Microchip Technology

Category: Unidirectional TVS THT diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13, Mounting: THT, Type of diode: TVS, Leakage current: 5µA, Breakdown voltage: 39V, Max. forward impulse current: 28A, Semiconductor structure: unidirectional, Max. off-state voltage: 33.3V, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Anzahl je Verpackung: 100 Stücke.

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
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1N5647A	Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Unidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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1N5647A	Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY	Category: Unidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 1.5kW; 39V; 28A; unidirectional; ±5%; DO13 Mounting: THT Type of diode: TVS Leakage current: 5µA Breakdown voltage: 39V Max. forward impulse current: 28A Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 33.3V Tolerance: ±5% Case: DO13 Peak pulse power dissipation: 1.5kW	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH