1N5816e3

1N5816E3

Hersteller: Microsemi
Rectifier Diode Switching 150V 20A 35ns
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Technische Details 1N5816E3

Description: RECTIFIER DIODE, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Diode Type: Standard, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A (DC), Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V.

Preis 1N5816E3 ab 77.25 EUR bis 128.18 EUR

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Hersteller: Microsemi
Rectifier Diode Switching 150V 20A 35ns
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Hersteller: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 150V 20A 35ns
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Hersteller: Microchip Technology
Rectifiers Rectifier
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Hersteller: Microchip / Microsemi
Rectifiers Rectifier
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Hersteller: Microchip Technology
Description: RECTIFIER DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Diode Type: Standard
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A (DC)
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
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