1N647-1

1N647-1 Microchip Technology


5883-1n647-1-datasheet Hersteller: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 400 V
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Technische Details 1N647-1 Microchip Technology

Description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 400mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 400 V.

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