1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details 1ED3125MU12FXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 9A, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 10A, Versorgungsspannung, min.: 3.1V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 90ns, Ausgabeverzögerung: 90ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote 1ED3125MU12FXUMA1 nach Preis ab 1.23 EUR bis 5.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Single-channel 3.0 kV rms Isolated Gate Driver IC |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Gate Drivers ISOLATED DRIVER |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Peak Output: 14A Technology: Magnetic Coupling Current - Output High, Low: 4A, 4A Voltage - Isolation: 3000Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: PG-DSO-8 Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max) Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs Pulse Width Distortion (Max): 5ns Part Status: Active Number of Channels: 1 Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - 1ED3125MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, High-Side, IGBT, Si/SiC MOSFET, 1 Kanal, SOIC-8, 3.1V bis 15V tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 9A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 10A Versorgungsspannung, min.: 3.1V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 90ns Ausgabeverzögerung: 90ns Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| 1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005352066 |
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1ED3125MU12FXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Single-channel 3.0 kV rms Isolated Gate Driver IC |
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